变频器驱动电路详解.pdf

变频器驱动电路详解 测量驱动电路输出的六路驱动脉冲的电压幅度都符合要求， 如用交流档测量正向 激励脉冲电压的幅度约 14V左右，负向截止电压的幅度约 7.5V 左右（不同的机 型有所差异），对驱动电路经过以上检查，一般检修人员就认为可以装机了，此 中忽略了一个极其重要的检查环节——对驱动电路电流 （功率）输出能力的检查！ 很多我们认为已经正常修复的变频器，在运行中还会暴露出更隐蔽的故障现象， 并由此导致了一定的返修率。 变频器空载或轻载运行正常， 但带上一定负载后， 出现电机振动、输出电压偏相、 频跳 OC故障等。 故障原因： A、驱动电路的供电电源电流（功率）输出能力不足； B、驱动 IC 或 驱动 IC 后置放大器低效，输出内阻变大，使驱动脉冲的电压幅度或电流幅度不 足； C、IGBT低效，导通内阻变大，导通管压降增大。 C原因所导致的故障比例并不高，而且限于维修修部的条件所限，如无法为变频 器提供额定负载试机。但 A、B 原因所带来的隐蔽性故障，我们可以采用为驱动 增加负载的方法，使其暴露出来，并进而修复之，从面能使返修率降到最低。 IGBT的正常开通既需要幅值足够的激励电路，如 +12V 以上，更需要足够的驱动 电流，保障其可靠开通，或者说保障其导通在一定的低导通内阻下。上述 A、B 故障原因的实质，即由于驱动电路的功率输出能力不足，导致了 IGBT 虽能开通 但不能处于良好的低导能内阻的开通状态下， 从而表现出输出偏相、 电机振动剧 烈和频跳 OC故障等。 让我们从 IGBT 的控制特性上来做一下较为深入的分析，找出故障的根源所在。 一、 IGBT的控制特性： 通常的观念，认为 IGBT器件是电压型控制器件——为栅偏压控制，只需提供一 定电平幅度的激励电压， 而不需吸取激励电流。 在小功率电路中， 仅由数字门电 路，就可以驱动 MOS型绝缘栅场效应管。做为 IGBT，输入电路恰好具有 MOS型 绝缘栅场效应管的特性，因而也可视为电压控制器件。这种观念其实有失偏颇。 因结构和工艺的原因， IGBT管子的栅 - 射结间形成了一个名为 Cge 的结电容，对 IGBT管子开通和截止的控制，其实就是 Cge进行的充、放电控制。 +15V 的激励 脉冲电压，提供了 Cge 的一个充电电流通路， IGBT因之而开通； -7 。5V 的负向 脉冲电压， 将 Cge 上的“已充电荷强行拉出来”， 起到对充电电荷的快速中和作 用， IGBT因之而截止。 假定 IGBT管子只对一个工作频率为零的直流电路进行通断控制，对 Cge 一次性 充满电后，几乎不再需要进行充、放电的控制，那么将此电路中的 IGBT管子说 成是电压控制器件，是成立的。而问题是：变频器输出电路中的 IGBT管子工作 于数 kHz 的频率之下， 其栅偏压也为数 kHz频率的脉冲电压！ 一方面， 对于这种 较高频率的信号， Cge的呈现出的容抗是较小的， 故形成了较大的充、 放电电流。 另一方面，要使 IGBT可靠和快速的开通（力争使管子有较小的导通内阻），在 IGBT的允许工作区内，就要提供尽可能大的驱动电流（充电电流）。对于截止 的控制也是一样，须提供一个低内阻（欧姆级）的外部泄放电路，将栅 - 射结电 容上的电荷极快地泄放掉！ 大家都知道电容为储能元件，本身不消耗功