MOS场效应管对比、参数.pdf

第四章 常用半导体器件原理 各类场效应管对比、参数、 晶体管和场效应管性能对比。 ∙ 1 ∙ 第四章 常用半导体器件原理 各类场效应管符号对比 MOSFET JFET 增强型 耗尽型 N 沟道 P 沟道 N 沟道 P 沟道 N 沟道 P 沟道 D D D D D D B B B B G G G G G G S S S S S S ∙ 2 ∙ 第四章 常用半导体器件原理 各种类型的FET特性对比 1.输出特性 ∙ 3 ∙ 第四章 常用半导体器件原理 2. 转移特性 ∙ 4 ∙ 第四章 常用半导体器件原理 场效应管的参数及特点 一. 直流参数 1. 结型场效应管和耗尽型MOSFET (1). 饱和漏电流I (I ) ：I (I )指的是对应u 0时的漏极电流。 DSS D0 DSS D0 GS (2). 夹断电压UGSoff ：|uGS| UGSoff时，iD 0 。 2. 增强型MOSFET 开启电压U :当u >u 时，导电沟道才形成i ≠0 。 GSth GS GSth D 3. 输入电阻RGS 8 12 对结型场效应管，RGS在10 ~ 10 Ω之间。 对MOS管，RGS在1010~1015Ω之间。