3半导体_2PN结_模拟电子电路与技术基础.pdf

第四章 常用半导体器件原理 常用半导体器件原理(2) PN结 ∙ 1 ∙ 第四章 常用半导体器件原理 2.1 半导体物理基础 2.2 晶体二极管及其应用 2.3 晶体三极管原理、特性及参数 2.4 场效应管原理、特性及参数 2.5 晶体三极管及场效应管低频小信号模型 ∙ 2 ∙ 第四章 常用半导体器件原理 2.2　PN 结--半导体器件基础 　　通过掺杂工艺，一边做成 P 型半导体，另 一边做成 N 型半导体，则 P 型半导体和 N 型 半导体的交接面处会形成一个有特殊物理性 质的薄层，称为 PN 结。 2.2.1　PN 结的形成 3 ∙ 3 ∙ 第四章 常用半导体器件原理 　　空间电荷区又称为耗尽区或势垒区或阻挡层。在掺杂 浓度不对称的 PN 结中，耗尽区在重掺杂一边延伸较小， 而在轻掺杂一边延伸较大。   P 区 耗尽区 N 区 P 区 耗尽区 N 区       + + + + + +     + + + +       + + + + + +       + + + + + +    