半导体n型和pp型概要.ppt

半导体的n型、p型掺杂 教师:黄辉 办公室:创新园大厦A1226  本章内容 1.半导体概述 2.本征半导体 3杂质半导体 ·4.掺杂工艺简介  1.半导体概述 根据物体导电能力(电阻率) 的不同,物质可分为导体(p10 g2cm)、绝缘体(p10992cm)和半 导体(10192p1092cm)三大类。 半导体应用极为广泛,因为它 具有热敏性、光敏性、掺杂性等特 殊性能。  1.半导体概述 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等, 其都是4价元素(外层轨道上的电子通常称为价电子), 其原子结构模型和简化模型如图所示。 价电子 世性核 原子核 图111半导体的原子结构示意图 )硅原子;(b)错原子;(c)简化模型  1.半导体概述 每个原子最外层的价电子,不仅受到自身原 子核的東缚,同时还受到相邻原子核的吸引。因此 ,价电子不仅围绕自身的原子核运动,同时也出现 在围绕相邻原子核的轨道上。于是,两个相邻的原 子共有一对共价电子,这一对价电子组成所谓的 硅、锗原子的共价键结构如图所示 两个电子的共价健 正寓子楼  2本征半导体 纯净的、不含其他杂质的半导体称为本征半 导体 在热力学温度零度(即T=0K,相当于-273℃) 时,价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚,因此, 晶体中没有自由电子。所以在T=0K时,半导体不能 导电,如同绝缘体一样。 在室温下,本征半导体共价键中的价电子获得足 够的能量,挣脱共价键的束缚成为自由电子,在原位 留下一个空穴,这种产生电子空穴对的现象称为本征 激发  2本征半导体 由于随机热振动致使共价键被打破而产生电 子空穴对。 本征半导体中存在两种载流子:带负电的自由电 子和带正电的空穴。分别用n和p表示自由电子和空穴 的浓度,有n=p。  2本征半导体 空穴、电子导电机理 由于共价键出现了空穴,在外加电场或其它的作用 下,邻近价电子就可填补到这个空位上,而在这个 电子原来的位置上又留下新的 空位,以后其他电子又可转移 到这个新的空位。这样就使共 价键中出现一定的电荷迁移 空穴的移动方向和电子移动方 向是相反的。  3杂质半导体 本征半导体中虽有两种载流子,但因本征载子浓 度很低,导电能力很差。如在本征半导体中掺入某 种特定杂质,成为杂质半导体后,其导电性能将发 生质的变化。 N型半导体——掺入五价杂质元素(如磷、砷)的 半导体 P型半导体—一掺入三价杂质元素(如硼、镓)的 半导体。  3杂质半导体 n型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电 子能与周围四个半导体原子中的 它主原子提供 的多余的电子 价电子形成共价键,而多余的 个价电子因无共价键束缚而很容 施主正骂 易形成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂 质原子提供;空穴是少数载流子,由热激发形成。