2.1 半导体基础知识
模拟电子技术基础
2.1 半导体基础知识
模拟电子技术基础
2.1 半导体基础知识
2.1.1 导体、绝缘体与半导体材料
载流子:能够自由移动的带电物质微粒;载流子的定向
移动是电流形成的原因
绝缘体 半导体 导体
很低 载流子浓度 很高
半导体:晶体结构、共价键
本征激发、掺杂特性 → 导电能力可操控
模拟电子技术基础
2.1 半导体基础知识
2.1.2 本征半导体的共价键结构和束缚电子
本征半导体:具有纯净无缺陷的晶体结构的半导体
模拟电子技术基础
2.1 半导体基础知识
2.1.2 本征半导体的共价键结构和束缚电子
模拟电子技术基础
2.1 半导体基础知识
2.1.2 本征半导体的共价键结构和束缚电子
模拟电子技术基础
2.1 半导体基础知识
2.1.2 本征半导体的共价键结构和束缚电子
价电子
模拟电子技术基础
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2.1 半导体基础知识
2.1.2 本征半导体的共价键结构和束缚电子
共价键与
其中的束缚电子
模拟电子技术基础
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2.1 半导体基础知识
2.1.2 本征半导体的共价键结构和束缚电子
处于晶体点阵中
难于移动的原子
模拟电子技术基础
2.1 半导体基础知识
2.1.3 本征半导体的本征激发与自由电子、空穴对
本征激发:束缚电子因光、热辐射获得足够能量,挣脱
共价键,成为自由电子,参与导电
+4 +4 +4 +4 +4 +4
自由电子
+4 +4 +4 +4 +4 +4
空穴
+4 +4 +4 +4 +4 +4
模拟电子技术基础
2.1 半导体基础知识
2.1.3 本征半导体的本征激发与自由电子、空穴对
本征激发:束缚电子因光、热辐射获得足够能量,挣脱
共价键,成为自由电子,参与
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