《模拟电子技术总结复习资料》.docx

半导体二极管及其应用电路 J.半导体的基础知识 半导体---导电能力介丁导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）。 特性---光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。 体现的是半导体 的掺杂特性。 *P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是 电子）。 *N型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是 空穴）。 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定丁杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 PN 结 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 * PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V,错材料约为0.2~0.3V。 PN结的伏安特性 /正向特性 『 t 反向特性 半导体二极管 *单向导电性——正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降—— 硅管0.6~0.7V，错管0.2~0.3V。 *死区电压—— 硅管0.5V,错管0.1V。 分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）； 若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 Q 2）等效电路法 ? 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）； 若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。 *三种模型 廿- （b）恒出源械型 ?微变等效电路法 稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在 电路中要反向连接。 三极管及其基本放大电路 三极管的结构、类型及特点 类型---分为NPNO PNP两种。 特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 三极管的工作原理 三极管的三种基本组态 ⑴ ⑴JL发射极如志 山）共集电极蛆志 三极管内各极电流的分配 圮=4n + Icbo Ze 二加"kx =+ k ■=上、"顷。 *共发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件 〃 -+ （1 +/# ）/cbo =/ST/b+/cfx> =/?/b 式子Mg=（l却）E。 称为穿透电流。 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管 *输出特性曲线 *输出特性曲线 （饱和管压降，用UCes^示 放大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏。 饱和区---发射结和集电结均正偏。 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高 I CBO I CEO 、 Ic以及6均增加。 低频小信号等效模型（简化） r be---输出端交流短路时的输入电阻， &--输出端交流短路时的正向电流传输比，常用 &--输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用6表小； 基本放大电路组成及其原则 VT、 Vco R、 R、G、G的作用。 组成原则----能放大、不失真、能传输 放大电路的图解分析法 直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确定静态工作点 *直流负载线---由1 * * * V：C=I cRd+LLe确定的直线 *电路参数对静态工作点的影响 )改变R : Q点将沿直流负载线上下移动。 )改变R : Q点在I bq所在的那条输出特性曲线上移动。 )改变Vx：直流负载线平■移，Q点发生移动。 交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路，理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。 *交流负载线---连接Q点和V cc'点V cc'= UCeq+I ccR l'的 直线。 静态工作点与非线性失真 放大器的动态范围 Ubpp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 范围 * 当(U=Eb UCes) > ( Vcc' — Uceq )时，受截止失真限制，Ubp=2UbMA=2I ccR.'。 时，受饱和失真限制，U?p=2LOma=2 ( LLe『 LCess) ),放大器将有最大的不失真输出电压。 f CEQ = J CC f CEQ = J CC ”(?qRc (2) Q点在放大区的条件 放大电路的动态分析 *放大倍数 *输入电阻 七.分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法 1.静态分析 2.动态分析 *电压放大倍数 七岛 血+(1+夕双 在Re两端并一电解电