探测器暗电流综述报告（一）.pdfVIP

暗电流形成及其稳定性分析 综述报告 目录 光电探测器基本原理2 1.1 PIN 光探测器的工作原理2 1.2 雪崩光电二极管工作原理3 暗电流的形成及其影响因素4 2.1 暗电流掺杂浓度的影响4 2.1.2 复合电流特性5 2.1.3 表面复合电流特性5 2.1.4 欧姆电流特性5 2.1.5 隧道电流特性6 2.2 结面积和压焊区尺寸对探测器暗电流的影响8 2.3 腐蚀速率和表面钝化工艺对探测器暗电流的影响 10 2.4 温度特性对暗电流影响 11 暗电流稳定性分析小结 12 参考文献 13 1 光探测器芯片处于反向偏置时，在没有光照的条件下也会有微弱的光电 流，被称为暗电流，产生暗电流的机制有很多，主要包括表面漏电流、反向扩 散电流、产生复合电流、隧穿电流和欧姆电流。。本文就将介绍光电探测器暗电 流形成及其稳定性分析，并介绍了一些提高稳定性的方案，讨论它们的优势与 存在的问题。 光电探测器基本原理 光电检测是将检测的物理信息用光辐射信号承载,检测光信号的变化,通过信 号处理变换,得到检测信息。光学检测主要应用在高分辨率测量、非破坏性分 析、高速检测、精密分析等领域,在非接触式、非破坏、高速、精密检测方面具 有其他方法无比拟的。因此,光电检测技术是现代检测技术最重要的手段和方法 之一,是计量检测技术的一个重要发展方向。 1.1 PIN 光探测器的工作原理 在PD 的PN 结间加入一层本征（或轻掺杂）半导体材料（I 区），就可增 大耗尽区的宽度，减小扩散作用的影响，提高响应速度。由于I 区的材料近似 为本征半导体，因此这种结构称为PIN 光探测器。图（a）给出了PIN 光探测器 的结构和反向偏压时的场分布图。I 区的材料具有高阻抗特性，使电压基本落 在该区，从而在PIN 光探测器内部存在一个高电场区，即将耗尽层扩展到了整 个I 区控制 I 区的宽度可以控制耗尽层的宽度。 PIN 光探测器通过加入中间层，减小了扩散分量对其响应速度的影响， 但过大的耗尽区宽度将使载流子通过耗尽区的漂移时间过长，导致响应速度变 慢，因此要根据实际情况折中选取I 层的材料厚度。 2 1.2 雪崩光电二极管工作原理 雪崩光电二极管,具有增益高固有增益可达,灵敏度高、响应速度快的特 点,因而可用于检测高速调制的脉冲位置调制光信号。雪崩光电二极管是利用雪 崩倍增效应而具有内增益的光电二极管,它的工作过程是在光电二极管的一结上 加一相当高的反向偏压,使结区产生一个很强的电场,当光激发的载流子或热激 发的栽流子进入结区后,在强电场的加速下获得很大的能量,与晶格原子碰撞而 使晶格原子发生电离,产生新的电子一空穴对,新产生的电子一空穴对在向电极 运动过程中又获得足够能量,再次与晶格原子碰撞,这时又产生新的电子一空穴 对,这一过程不断重复,使一结内电流急剧倍增,这种现象称为雪崩倍增。雪崩光 电二极管就是利用这种效应而具有光电流的放大作用。为保证载流子在整个光 敏区的均匀倍增,必须采用掺杂浓度均匀并且缺陷少的衬底材料,同时在结构上 采用“保护环”,其作用是增加高阻区宽度,减小表面漏电流避免边缘过早击穿, 所以有保护环的APD，有时也称为保护环雪崩光电二极管。 雪崩光电二极管结构示意图 几种雪崩光电二极管的结构,图中 （a）是P 型N+结构,它是以型硅材料做基片, 扩散五价元素磷而形成重掺杂十型层,并在与十区间通过扩散形成轻掺杂高阻型 硅,作为保护环,,使一结区变宽,呈现高阻。图(b)是p-i-n 结构,为高阻型硅,作 为保护环,同样用来防止表面漏电和边缘过早击穿。图表示一种新的达通型雪崩 光电二极管记作结构,二为高阻型硅,本图的右边画出了不同区域内的电场分市 情况,其结构的特点是把耗尽层分高电场倍增区和低电场漂移区。图(c)中,区为 高电场雪崩倍增区,而币义为低电场漂移区。器件在工作时,反向偏置电压使耗 尽层从`一结一直扩散到二一