电子电路设计 电子电路设计 电子电路分析制作与调试（稳压电源） 9.ppt

电子电路分析制作与调试 学习情境一 直流可调稳压电源制作与调试 任务提出 任务目标 相关知识 任务分析 任务实现 任务评价 任务提出 下图为一个直流输出可调稳压电 源电路，试分析其工作原理并制 作调试该电路 任务提出 实物图 任务提出 电子元器件明细表 任务目标 通过对可调直稳压电源电路的分析与制作，理解和掌握整流、滤波、稳压电路的基本工作原理，能按工艺要求独立进行电路装配、测试和调试，并能独立排除装配、调试过程中出现的简单故障。 相关知识 情境任务一 1.1.1 半导体材料（semiconductor materials） 定义：半导体是指导电性能介于导体（conductor）和绝缘体（insulator）之间的一种物质。 材料：元素半导体：硅（Si）、锗（Ge）化合物半导体：砷化镓（GaAs）　　　　　　目前最常用的半导体材料是硅和锗。 重要特性：热敏特性 光敏特性 掺杂特性 相关知识 1.1.2 半导体的共价键结构 1.硅或锗的简化原子结构模型 价电子： 原子的最外层的电子 相关知识 2、硅或锗晶体的共价健结构 共价键： 价电子共有化运动， 价电子不同于自由 电子，不能导电。 相关知识 1.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 本征半导体 一种完全纯净的 结构完整的半导 体晶体 相关知识 2、空穴 共价键实际上是一种“松散联合”，在 受热或光照情况下： 本征激发→价电 子得到足够的能 量→成为自由电 子→同时原来 共价键中留下一 个空位——空穴。 相关知识 3、两种载流子 本征激发产生自由电子，与空穴成对 出现 自由电子与空穴 都是可以移动的 载流子； 自由电子带负电 空穴带正电 金属导体中只有 一种载流子—— 电子载流子 相关知识 复合 ：自由电子在运动中因能量的损 失有可能和空穴相遇，重新被共价健 束缚起来，电子 空穴对消失 。 一定的温度或 光照下，电子 和空穴的浓度 保持动态平衡。 本征激发产生 的电子空穴对的 数目很少，载流 子浓度很低，因此 ，本征半导体的导 电能力很弱。 相关知识 1.1.4 掺杂半导体 1、N型半导体 掺入五价元素 （杂质）→杂 质电离→ 形成 一个自由电子 和不能移动的 正离子 N型半导体特征： 多数载流子——自由电子 少数载流子——空穴 相关知识 2、P型半导体 掺入三价元素（杂质）→杂质电离→ 形成一个空穴和不能移动的负离子 P型半导体特征： 多数载流子— —空穴 少数载流子— —自由电子 相关知识 1.2 半导体二极管及其基本特性 1.2.1PN结的形成及特性 PN结的形成 PN结的单向导电性 （1）PN结加正向电压 外加的正向电压，方向与PN结内电场方向相反，削 弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减 弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可 忽略漂移电流的影响，PN 结呈现低阻性。P区的电位 高于N区的电位，称为加 正向电压，简称正偏。 相关知识 （2）PN结加反向电压 外加反向电压,方向与PN结内电场方向相同，加 强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增 强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在 内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流， 可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。P区的电位 低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓 度是一定的，故少子 形成的漂移电流是恒 定的，基本上与所加 反向电压的大小无关， 这个电流也称为反向 饱和电流。 相关知识 1.2.2 二极管的单向导电性 1、单向导电性 （1）PN结的形成 相关知识 PN结的空间电荷区存在电场，即有电 位差，通常称该电位差为内建电位差 或接触电位差，其值约为零点几伏 相关知识 （2）PN结的单向导电性原理 若在PN结两端接上外接电源，则PN结原来的平 衡状态将被打破，这种情况被称为偏置，相应的 外接电源被称为偏置电源。 相关知识 由于正偏时内电场被削弱，少子漂移运动将减弱而 多子扩散运动将增强并形成较大电流，即正向电流 较大，PN结对外电路呈现较小的电阻，这种状态称 为PN结的导通（cut in）。 相关知识 由于反偏时内电场被加强，多子扩散运动将减 弱，而少子漂移运动将增强但形成电流很小，即 反向电流很小，PN结对外电路呈现较高的电 阻，这种状态称为PN结的截止（cut off）。 相关知识 简而言之，PN结正向导通、反向截止，这就是PN结的单向导电性。 PN结的单向导电性即为二极管的单向导电性 相关任务 情境任务一：子任务一 二极管的认识与测量: 子任务一提出：认识普通二极管、发光 二极管、稳压二极管、光