单片机技术 7.5系统的抗干扰设计 7.5系统的抗干扰设计.pptVIP

2. 地线抗干扰设计 （3）印刷电路板的地线分布： ① 印刷电路板上的地线要根据通过电流的大小决定其宽度，应将接地线尽量加粗，使它能通过三倍于印刷电路板的允许电流，最好不小于3mm。 ② 旁路电容的地线不要过长。 ③ 接地线构成闭环路。设计只由数字电路组成的印刷电路板的地线系统时，将接地线做成闭环路可以明显提高抗噪声能力。 120-* 7.5.4 过程通道干扰及抗干扰措施 过程通道是指前向接口、后向接口与主机，或者是主机相互之间进行信息传输的途径。 在过程通道中长线传输的干扰是主要的，随着系统主振频率越来越高，系统过程通道的长线传输越来越不可避免。 1. 光电耦合隔离措施 采用光电耦合器可以将主机与前向、后向以及其他主机部分切断电路的联系，能有效地防止干扰从过程通道进入主机。 120-* 在传输线较长、现场干扰十分强烈时，为了提高整个系统的可靠性，可以通过光电耦合器将长线完全“浮置”起来。 传输长线的光耦浮置处理 2. 双绞线传输 在单片机实时控制系统的长线传输中，双绞线是较常用的一种传输，与同轴电缆相比，虽频带较窄，但波阻抗高、抗共模噪声能力强。 120-* 2. 双绞线传输 图7-50（a）所示为双绞线长度小于5 m的情况 图7-50（b）所示为双绞线的长度大于5 m，小于10 m的情况 120-* 图7-50（c）所示为双绞线的长度大于10 m的情况 2. 双绞线传输 120-* 双绞线与光电耦合器联合使用时，可按图7-51所示的方式连接。图中如果在光电耦合器的光敏晶体管的基极上接有电容（几皮法～0.01μF）及电阻（10～20MΩ），且后面跟接施密特型集成电路，则会大大加强抗振荡与抗噪声的能力。 光电耦合器与双绞线联合使用 120-* 3. 长线传输的阻抗匹配 （2）始端串联匹配。如图7-52（b）所示，这种匹配方法会使终端的低电平抬高，相当增加了输出阻抗，降低了低电平的抗干扰能力。 （a） （b） （1）终端并联阻抗匹配。如图7-52（a）所示，RP=R1/R2的要求选取R1一般为220～330 Ω，R2可在270～390 Ω范围内选取 120-* 国家开放大学 / * * 因为B口输入不带锁存器，所以B口无法工作于双向方式 * /RD=0（W/R=1）时所选8255处于读状态；反之，处于写状态。即8051象管理外部RAM一样管理8255 * 状态字放到模式1、2中再讲 * 中断允许位在状态字中 * 从8051的数据口将数据送入8255的控制口（mcs51将8155当作片外RAM管理，而访问外部RAM必须用间址方式，无直接寻址指令） * 地址译码为0CH 空白演示 单击输入您的封面副标题 7.5 系统的抗干扰 7.5.1 系统主要干扰渠道 干扰窜入系统的渠道主要有3条： 空间干扰（场干扰） I/O通道干扰 供电系统干扰（如电源干扰、地线干扰）。 一般情况下，空间干扰在强度上远小于其他两个渠道窜入干扰，而且空间干扰可用良好的屏蔽与正确的接地、高频滤波加以解决，故单片机系统中应重点防止供电系统和过程通道的干扰。 120-* 7.5.2 电源干扰及抗干扰措施 1. 电源噪声来源、种类及危害 如果把电源电压变化持续时间定为Δt，那么，根据它的大小可以把电源干扰分为： （1）过压、欠压、停电：Δt＞1 s。 （2）浪涌、下陷、降出：1 s＞Δt＞10 ms。 （3）尖峰电压：Δt为μs级。 （4）射频干扰：Δt为ns级。 （5）其他：半周内的停电或过欠压。 120-* 7.5.2 电源干扰及抗干扰措施 1. 电源噪声来源、种类及危害 过压、欠压、停电的危害是显而易见的，解决的办法是使用各种稳压器、电源调节器，对付暂短时间的停电则配置不间断电源（UPS）。 浪涌与下陷是电压的快变化，如果幅度过大也会毁坏系统。解决的办法是使用快速响应的交流电源调压器。 尖峰电压持续时间很短，一般不会毁坏系统，但对微机系统正常运行危害很大，会造成逻辑功能紊乱，甚至冲坏原程序。解决办法是使用具有噪声抑制能力的交流电源调节器、参数稳压器或超隔离变压器。 射频干扰对微机系统影响不大，一般加接2～3级低通滤波器即可解决。 120-* 2. 单片机系统电源的抗干扰设计 单片机应用系统可采用如图所示的抗干扰供电系统。其中，交流稳压器可以抑制电网电压的极大波动；隔离变压器可以有效抑制电源的高频干扰；低通滤波器可以滤去高次谐波；双T滤波器可以消除50 Hz工频干扰；各功能模块均设置有一个“稳压块”。 120-* （1）交流电源的抗干扰设计 2. 单片机系统电源的抗干扰设计 现场的单片机应用系统大都使用220V、50Hz工业用电。由于生产负荷的变化，如交直流电机