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§4.3 雪崩光二极管APD 1 ．APD 光二极管的工作机理 APD 光二极管的工作机理就是：光生载流子 ─ 空穴电子对在 APD 光二极管 内部高电场作用下高速运动，在运动过程中通过碰撞电离效应，产生数量是首次空穴电 子对几十倍的二次、三次新空穴电子对，从而形成很大的光信号电流。 APD 光二极管的构造和场强分布如图 1.4.3 所示。 + + P P π N 电场 E x 高电场区 漂移区 图 1.4.3：APD 光二极管构造与内部电场 ＋ + 在图 1.4.3 中，P 与 N 分别为重掺杂的 P 型材料与 N 型材料，π为近似本征型 的材料。 当外加高反向偏压时（如 100 伏以上），APD 光二极管内部会形成二个电场区： 高电场区与漂移区。 当外反向偏压较低时，它与 PIN 光二极管相似，即入射光仅能产生较小的光电流。 然而随着反向偏压的增大，其耗尽层的宽度也逐渐增加，当反向偏压增加到一定数值（如 100 伏以上）时，耗尽层会穿过 P 区而进入 π区形成了高电场区与漂移区。 在高电场区，由入射光产生的空穴- 电子对在高电场作用下高速运动。由于其速度很 快而具有很大的动能，所以在运动过程中会出现“碰撞电离”现象，通过“碰撞电离” 可以产生新的、几个或几十个二次空穴- 电子对。同样，二次空穴- 电子对在高电场区又 可以通过“碰撞电离”效应产生三次、四次空穴- 电子对。这样以来，由入射光产生的 一个首次空穴- 电子对，可能会产生几十个或几百个新的空穴- 电子对，即所谓“倍增” 效应，如图 1.4.4 所示。 h e h e h e h e h e 图 1.4.4：高电场区中的碰撞电离效应 在漂移区，虽不具有象高电场区那样的高电场，但对于维持一定的载流子速度来讲， 该电场是足够的。 于是，由入射光产生的首次空穴- 电子对以及在内部高电场区通过“碰撞电离”产生 的二次、三次空穴- 电子对，通过漂移区而形成光电流。 APD 光二极管的“倍增”效应，能使在同样大小光的作用下产生比 PIN 光二极管 大几十倍甚至几百倍的光电流，相当于起了一种光放大作用 （[url=/]魔兽私服[/url]实际上不是真正的光放大），因此能大 大提高光接收机的灵敏度（比 PIN 光接收机提高 10dB 以上）。 2 ．APD 光二极管的特性参数 APD 光二极管的等效电路如图 1.4.5 所示。 I (t) S IN Cd Rb 图 1.4.5：APD 光二极管的等效电路 在图 1.4.5 中，IS (t)仍为信号电流源，只不过它是经过倍增后的信号电流，与 PIN 光二极管的 I (t)大不相同；I 为雪崩噪声电流源；C 为结电容；R 为偏置电阻。 S N d b 作为一种光检测器件，APD 光二极管也具有一些和 PIN 光二极管相类似的通用特 性参数，如响应度（量子效率）、响应时间、结电容和暗电流等，其物理意义完全相同， 在此不再阐述。 需要注意的是，APD 光二极管的暗电流也会参与其倍增效应而被放