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- 2020-10-16 发布于天津
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大学物理实验报告
实验3-13 霍尔效应的应用
、实验目的:
1、 了解霍尔效应原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2、 学习用对称测量法消除副效应的影响,测量试样的 Vh - Is和Vh - Im曲线。
3、 确定试样的导电类型、载流子浓度及迁移率。
、实验器材:TH-H型霍尔效应实验组合仪(由实验仪和测试仪两大部分组成)
1、 实验仪:电磁铁、样品与样品架 Is和Im换向开关及Vh、V切换开关
2、 测试仪:两组恒流源、直流数字电压表
三、实验原理:
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。由于带电粒 子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷 的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场。
(a) (b)
对于图中(a)所示的N型半导体试样,若在 X方向通以电流,在 Z方向加磁场,试样 中载流子(电子)将受洛伦兹力 Fg=eVB则在Y方向即试样A、A 电极两侧就开始聚积异号 电荷而产生相应的附加电场——霍尔电场。 电场的指向取决于试样的导电类型。 对N型试样,
霍尔电场逆Y方向;P型试样则沿Y方向。其一般关系可表示为
ls(X),B(Z)Eh(Y)Eh
ls(X),B(Z)
Eh(Y)
Eh(Y)
0, N型
0,P型
显然,该霍尔电场阻止载流子继续向侧面漂移。当载流子所受的横向电场力 力evB相等时
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