《Ch06MOS场效应管的特性1》.pptVIP

* 6.8.1 L和W的变化(续) 尺寸缩小的原因是在蚀刻（etching）过程中，多晶硅（Ploy）被腐蚀掉了。 另一方面，扩散区又延伸进去了，两边合起来延伸了2?Ldiff，故沟道长度仅仅是， L = Ldrawn?2?Lpoly?2?Ldiff 这2?Ldiff是重叠区，也增加了结电容。 ?Cgs = W?LdiffCox ?Cgd = W?LdiffCox 式中Cox是单位面积电容。 * 6.8.2 迁移率的退化 众所周知，MOS管的电流与迁移率?成正比。在设计器件或者计算MOS管参数时，常常假定?是常数。而实际上，?并不是常数。从器件的外特性来看，至少有三个因素影响?值，它们是：温度T，垂直电场Ev，水平电场Eh。 1） 特征迁移率?0 ?0与制造工艺密切相关。它取决于表面电荷密度，衬底掺杂和晶片趋向。?0还与温度T有关，温度升高时，?0就降低。如果从25℃增加到100℃，?0将下降一半。因而，在MOS管正常工作温度范围内，要考虑?0是变化的。 * 迁移率的退化（续） 2） 迁移率?的退化与电场强度 通常，电场强度E增加时，?是减小的。然而，电场E有水平分量和垂直分量，因而?将随Ev，Eh而退化。 通常，?可以表示为， ? = ?0(T)fv(Vg,Vs,Vd)fh(Vg,Vs,Vd) 其中，?0(T)是温度的函数， ?0(T) = kT ?M 于是， 在半导体Si内，M=1.5，这是Spice中所用的参数。但在反型层内（NMOS管），M=2，所以，一般认为，M值是处在1.5?2之间。?0的典型值为，N沟道MOS管，?0=600cm2/V?S；P沟道MOS管，?0=250cm2/V?S。式中fv是垂直电场的退化函数；fh是水平电场的退化函数。 * 迁移率的退化（续） 通常，fv采用如下公式， 式中，Vc是临界电压，Vc =?ctox，?c是临界电场，?c=2?105 V/cm 。垂直?值退化大约为25%?50%。 水平电场对?的影响，比垂直电场大得多。因为水平电场将加速载流子运动。当载流子速度被加速到一个大的数值，水平速度会饱和。一般来讲，N型Si的?0远大于P型Si的?0。然而，这两种载流子的饱和速度是相同的。 对于一个高性能器件来说，载流子是以最高速度，即饱和速度通过沟道的。这时，P沟道管子的性能与N沟道管子差不多相等。这并不是P型器件得到改进，而是N型器件有所退化。 * 迁移率的退化（续） 经过长期研究，已经确定，在电场不强时，N沟道的?确实比P沟道的?大得多，约2.5倍。但当电场增强时，这个差距就缩小，当电场强到一定程度，N管与P管达到同一饱和速度，得到同一个?值。它与掺杂几乎无关。 * 6.8.3 沟道长度调制 简化的MOS原理中，认为饱和后，电流不再增加。事实上，饱和区中，当Vds增加时，Ids仍然增加的。这是因为沟道两端的耗尽区的宽度增加了，而反型层上的饱和电压不变，沟道距离减小了，于是沟道中水平电场增强了，增加了电流。故器件的有效沟道长度为， L = L?? 式中?是漏极区的耗尽区的 宽度，如右图所示，且有 其中Vds?VDsat?是耗尽区上的电压。如果衬底掺杂高，那么这种调制效应就减小了。 图 6.18 * 6.8.4 短沟道效应引起门限电压变化 迄今，我们对MOS管的分析全是一维的。无论是垂直方向，还是水平方向，都是一维计算的。我们隐含地假定，所有的电场效应都是正交的。然而，这种假定在沟道区的边沿上是不成立的。因为沟道很短，很窄，边沿效应对器件特性有重大影响。（最重要的短沟道效应是VT的减小。） 加在栅极上的正电压首先是用来赶走P型衬底中的多数载流子——空穴，使栅极下面的区域形成耗尽层，从而降低了Si表面的电位。当这个电位低到P型衬底的费米能级时，半导体出现中性。这时，电子浓度和空穴浓度相等。若再增加栅极电压，就形成反型层。 * 短沟道效应引起门限电压变化(续) 栅极感应所生成的耗尽区，与源、漏耗尽区是连接在一起的。显然，有部分区域是重叠的。那里的耗尽区是由栅极感应与扩散平衡共同形成的。差不多一半由感应产生，另一半由扩散形成。这样，栅极电压只要稍加一点，就可以在栅极下面形成耗尽区，如下图所示。 QB = QB?QL 故门限电压VT必然降低。 图 6.19 * 短沟道效应引起门限电压变化(续) 对于长沟道MOS管，影响不大。但是当沟道长度L5?后，VT降低是极其明显的，如图所示。 图 6.20 * 6.8.5 狭沟道引起的门限