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晶向、晶面及晶带;目录;2.2 晶向、晶面及晶带;一、晶向及晶向指数;晶列的特点:
(1)平行晶列组成晶列族,晶列族包含所有的格点;
(2)晶列上格点分布是周期性的;
(3)晶列族中的每一晶列上,格点分布都是相同的;
(4)在同一平面内,相邻晶列间的距离相等。
;2.晶向指数[u v w]确定步骤:
建立一个右手空间直角坐标系,在待测晶向上确定两个点的坐标。
用终点的坐标减去起点的坐标,得到沿各坐标轴方向上的数值。
将其按比例化为最小的整数。
将此整数放在一个方括号[u v w]中。若有负号,将负号标在该数字的上方。
如[121]表示
;例题:确定图1-18中A,B和C方向的晶向指数;晶向 A
1.两点坐标分别为(1, 0, 0) and(0, 0, 0)
2. (1, 0, 0) - (0, 0, 0) =( 1, 0, 0)
3. 已为最小的整数,记作 [100]
晶向B
1.两点坐标分别为(1, 1, 1) and (0, 0, 0)
2. (1, 1, 1) -(0, 0, 0) = (1, 1, 1)
3.已为最小的整数,记作 [111]
晶向C
1.两点坐标分别为(0, 0, 1) and (1/2, 1, 0)
2. (0, 0, 1) -(1/2, 1, 0) = (-1/2, -1, 1)
3. 2(-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2,记作;练习1:确定图中AB,BC和AD的晶向指数
;X;[123]; ;[100];3. 阵点间距、线密度和堆垛密度
阵点间距(repeat distance):沿晶向方向阵点之间的距离。
线密度(liner density):沿一个方向单位长度上相同阵点的数目。
线堆垛密度(线致密度):某个晶向上的原子所占的长度的比例。;例:已知Cu是FCC晶胞结构,晶格常数a = 0.36451 nm,计算晶胞中[110]晶向的阵点距离、线密度和线致密度?
对于FCC晶胞中[110]晶向,起点设在0,0,0位置,下一个阵点在面心,即1/2,1/2,0的位置。因此,阵点间的距离是面对角线的一半,等于 。铜的晶格常数为0.36151nm,可以算出阵点间距为0.2556nm。
铜的面心立方晶胞[110]晶向有2个重复距离,为
线密度= =3.91阵点/nm
因此,线密度也可以看成是阵点间距的倒数。
线致密度=线密度×2r 。
线致密度=线密度×2r =3.91×2×0.12781=1
说明原子沿[110]晶向相互接触(面心立方晶胞的最密排方向)。
;二、晶面及晶面指数;2.晶面指数(hkl)确定步骤:
以晶胞的某一阵点为原点,以过原点的晶轴为坐标轴,以点阵常数a,b,c为三???坐标轴的长度单位,建立一个空间直角坐标系。但原点应位于待定晶面之外,以避免出现零截距。
找出待定晶面在三轴的截距,如果该晶面与某轴平行,则截距为无穷大。
求出晶面在三个坐标轴上的截距x,y,z,对所求截距取倒数得1/x,1/y,1/z;
将它们按比例化成三个最小的整数h,k,l;
再将它们放在一个圆括号中即得该晶面的晶面指数(hkl)。如果有存在负号,将负号标在该数字的上方。
;确定图中A,B和C晶面的晶面指数;Plane A
1. x = 1, y = 1, z = 1
2.1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1
3.已为最小的整数,记为 (111)
Plane B
1.晶面和z轴平行,所以x = 1, y = 2, and z = ∞
2.1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0
3. 化为最小的整数:1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0,记作 (210)
Plane C
1.因为晶面经过了原点,所以要把原点沿y轴方向移动一个晶格常数的距离,所以, x = ∞ , y = -1, and z = ∞
2.1/x = 0, 1/y = 1, 1/z = 0
3.已为最小的整数,记作;练习;X;一个晶面和其负晶面是相同的(这和晶向不同)
晶面指数和该指数的倍数是平行的,但不是等同的(这也和前面讲的晶向不同)。
晶面指数代表的不仅是某一晶面,而是代表一组互相平行的晶面;
在晶体内部凡晶面间距和晶面上原子的分布完全相同,只是空间位相不同的晶面归为同一晶面族,用 {h k l}表示,它代表由对称性相联系的若干组等效晶面的总和;
在一个晶胞中同属于某一晶面族的等效晶面数目,称为多重性因子;
立方晶系中,具有相同指数的晶向和与晶面必定是互相垂直的,即晶向的方向为该相同指数晶面的法线方向。
[111] ⊥ (111)
;对于高对称性的晶体来说,结晶学上等价的面具有相同的指数,这些结晶学上的等价面就构成一个晶面族
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