10.1第一节 晶闸管 (2)[汇编].pptVIP

(8) 维持电流IH (针对关断过程) ——是指晶闸管维持导通所必需的最小电流。一般为几十到几百毫安。维持电流与结温有关，结温越高，维持电流越小，晶闸管越难关断。 (9) 断态电压临界上升率du/dt ——电压上升率过大，就会使晶闸管误导通。 ——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。 (10) 通态电流临界上升率di/dt ——如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏 3）电力系统 SVC 高压直流装置HVDC 柔性交流输电FACTS 4）电子装置用电源 程控交换机 电子装置 微型计算机 5）家用电器 6）其他 大型计算机的UPS 航天技术 新型能源 电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。 晶闸管问世，(“公元元年”) 　IGBT及功率集成器件出现和发展时代 晶闸管时代 水银（汞弧）整流器时代 电子管问世 全控型器件迅速发展时期 史前期 （黎明期） 1904 1930 1947 1957 1970 1980 1990 2000 t(年) 晶体管诞生 电力电子技术的发展史 （Silicon Controlled Rectifier） 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功 率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域 扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、 调压及开关等方面。 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。 优点： 10.1 晶闸管(SCR)? * 10.1 晶闸管(SCR)? 一、晶闸管的结构和特号 3个PN结的四层三端元件 A A G G K K b) A G K P 1 N 1 P 2 N 2 J 1 J 2 J 3 G 控制极 一. 结构 K 阴极 G 阳极 A P1 P2 N1 N2 四 层 半 导 体 晶闸管是具有三个PN结的四层结构, 其外形、结构及符号如图。 (c) 结构 K G A (b) 符号 (a) 外形 三 个PN  结 10.1 晶闸管(SCR)? * 螺栓型晶闸管 晶闸管模块 平板型晶闸管外形及结构 常用晶闸管的结构 阳极 阴极 控制极 辅助阴极 螺栓形晶闸管 平板形晶闸管 阴极 阳极 控制极 P1 P2 N1 N2 K G A 晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合 + K A T2 T1 _ P2 N1 N2 IG IA P1 N1 P2 IK G P P N N N P A G K T1 T2 二、 工作原理 A 在极短时间内使两个三极管均饱和导通，此过程称触发导通。 形成正反馈过程 K G EA > 0、EG > 0 EG EA + _ R 晶闸管导通后，去掉EG ， 依靠正反馈，仍可维持导通状态。 G EA > 0、EG > 0 K EA + _ R T1 T2 EG A 形成正反馈过程 二、 工作原理 实验一 ①开关S断开： 灯L不亮。 ②S与1闭合： 门极电位高于阴极电位，门极承受正压灯L不亮。 ③S与2闭合： 门极承受反压，灯L不亮 。 结论：阳极反压，晶闸管不导通 。 若晶闸管的阳极电位低于阴极电位，无论门极电位是否高于阴极，晶闸管均不导通。 1.晶闸管的导通条件 二、 工作原理 实验二 ①开关S断开： 灯L不亮。 ②S与1闭合： 门极电位高于阴极电位，门极承受正压， ③S与2闭合： 门极承受反压，灯L不亮 。 结论：阳极和门极同时承受正压时，晶闸管导通 。 当晶闸管的阳极电位高于阴极电位，且仅在门极电位高于阴极时，晶闸管导通。 灯L亮。 1.晶闸管的导通条件 实验三：接上实验 ①开关S断开： 灯L亮。 ②S与1闭合： 门极电位高于阴极电位，门极承受正压，灯L亮。 ③S与2闭合： 门极承受反压，灯L亮 。 结论：晶闸管一旦导通，门极失去作用 。 控制晶闸管的导通只须正向脉冲电压称之为触发脉冲即可。 1.晶闸管的导通条件 〔简单描述〕晶闸管SCR相当于一个半可控的、可开不可关的单向开关。 图 晶闸管的工作条件的试验电路 晶闸管导通的条件： 1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反馈，晶闸管仍可维持导通状态。 晶闸