GBT 1551--- 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法.pdfVIP

中华人民共和国国家标准 硅、锗单晶电阻率测定 GB/T 1551一1995 直 流 两 探 针 法 代替 GBGR5253791孟5185 Test method for resistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe 1主题内容与适用范围 本标准规定了用直流两探针测量硅和锗单晶锭电阻率的方法。 本标准适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形单晶锭的电阻率。测量范围:硅单晶为10-1- 101 fl Cm,锗单晶为5X10-101 SZ em 试样长度与截面最大尺寸之比应不小于3: to 2引用标准 GB 1550硅单晶导电类型测定方法 GB/T 1552硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GB 5256锗单晶导电类型测量方法 最新文献资料 3方法提要 让直流电流工通过试样两端，并使A,73两根探针垂直压在试样侧面，测量A,B两根探针间的电位 差V,见图to若试样的横截面积为A，探针间距为S，则试样的电阻率P可用式(1计算: P一 A 了 1 一 V ·..·.···，·… (1) 式中:P一 电阻率，ncm; V— 两探针间的电位差,V; I-一通过试样的直流电流，A; A— 试样的截面积，cm`; S一两探针间的探针间距,cm. 国家技术监督局1995 04 18批准 1995 12一01实施 CBiT 1551一1995 图1测量电路示意图 4试剂与材料 4.1去离子水，25℃电阻率大于2 Mn·cm 4.2丙酮(化学纯)。 4.3乙醇(化学纯)。 最新文献资料 4.4端面欧姆接触材料，可任选一种使用 4.4.1胶体石墨液，由60 g水与40 g 22%的胶体石墨混合而成 4.4.2银浆混合液，由2份丙酮和4份甲醇及1份导电银浆混合而成 4.4.3锢箔 4. 4.4镀镍混合液:称取30 g氯化镍(NiCl2·6H20),50 g氯化铰,15 g次亚磷酸钠(NaH2P0· H刀),65 g柠檬酸二钠(Na2HC6H月,)溶解于烧杯中，然后移入1 000 mL容量瓶中，用水稀释至刻度 混匀 4.4. 5镀铜混合液:称取20 g硫酸铜(Cu50·5H20)倍解在90 mL去离子水中‘再加人15 ml氢氟 酸。 4.5磨料,w29(20-28 F=m)金刚砂。 5设备与仪器 5门 制样设备，包括切片机、滚磨及喷砂设备等 5.2探针装置由以下几部分组成 5.2.1探针架，能保证探针与试样接触位置重复，无横n移动 5.2.2探针，用钨、饿、碳化钨或合金钢等耐磨硬质材料制成。探针间及探针与其他部分之间的绝缘电 阻应大于10。。探针间距标称值为1-4. 7 mm及10 mm。探针压力应为1. 75-0. 25 N 5.3电学测量设备由以下几部分组成。 5.3.1恒流源，电流量程。01 mA-1 A,稳定度在士。.5%以内 5.3.2 电流换向开关。 5.3.3双掷双刀电位选择开关。 5. 3.4数字电压表或其他相当的仪表，量程10一‘v1 V,输入阻抗一般大于I O f2.分辨率为3 :,(有效 GB/T 1551一1995 5.梦l}- 3. 5标准电阻和模拟电阻，推荐值见表1 表1与电阻率范围适应的模拟测试电路电阻以及推荐