电子技术基础正式教案.docx

电 子 技 术 基 础 教 案 § 1-1 半导体的基础知识 目的与要求 了解半导体的导电本质， 理解N型半导体和P型半导体的概念 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1?半导体的导电本质 2.PN结的形成 教学方法 讲授法，列举法,启发法 教具 二极管，三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。 载流子在电场作用下 的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度 差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压 时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体 第一章 常用半导体器件 § 1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点： 热敏性 光敏性 掺杂性 导体和绝缘体的导电原理：了解简介。 一、 半导体的导电特性 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)锗(Ge)。硅和锗 是4价元素，原子的最外层轨道上有 4个价电子。 ?热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两 个相邻原子共用一对电子。室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成 为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为 空穴。失去价电子的原 子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。 ?空穴的运动(与自由电子的运动不同) 有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴， 这样空穴便转移到 邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。 带负电荷的价电子依次填补 空穴的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 3.结论 半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正 电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。 本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。 一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子 空穴对的数目相对稳定。 温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 二、 N型半导体和P型半导体 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显着改变。根据掺入杂质 的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半 导体。 1. N型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷（ P）、砷（As） 等，则构成N型半导体。 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层 有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自 由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或 N型半导体，其 中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。 型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的三价元素，如硼（B）、铟（In）等, 则构成P型半导体。 在纯净半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素，由于这类元素的原子最外层 只有3个价电子，故在构成的共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空穴， 这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动，称为空穴半导体或 P型半导 体，其中空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子。 +. +.I +? 二+? +*+*+? 0O一?: 0OCM O o o O eeo o o O 一一一 N型半导体 N型半导体 P型半导体 三、PN结及其单向导电性 PN结的形成 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。 载流子在电场作用下 的定向运动称为 漂移运动。在半导体中,如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度 差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为 扩散运动C 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为 扩散运动，如图所示 P型半导休 N型半导体 倉十? o o ? F 0 ° 0 ° 一% ?十?十?| 图 PN结的形成（1） 由于空穴和自由电子均是带电的粒子，所以扩散的结果使 P区和N区原来 的电中性被破坏，在交界面的两侧形成一个不能移动的带异性电荷的离子层， 称 此离子层为空间电荷区，这就是所谓的 PN结，如图所示。在空间电荷区，多数 载流子已经扩散到对方并复合掉了， 或者说消耗尽了，因此又称空间电荷区为耗 尽层。 空间电荷区出现后，因为正负电荷的作用，将产生一个从 N区指向P区的内电 场。内电场的方向，会对多数载流子的扩散运