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理解功率 MOSFET体二极管反向恢复特性 半桥、全桥和 LLC 的电源系统以及电机控制系统的主功率 MOSFET、同步 Buck 变换器的 续流开关管、 以及次级同步整流开关管， 其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。 功率 MOSFET的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二极管相比，其反向恢复 速度要低很多， 反向恢复电荷也要大很多，因此反向恢复的特性较差。 这样，导致二极管的 开关损耗增加，降低系统的效率，同时，也会产生较高的振铃，影响功率 MOSFET的安全工 作 。功率 MOSFET数据表中， 通常给出了一定条件下的 Qrr 和反向恢复的时间， 并没有给出 和实际应用相关的、 在不同的起始电流和不同的电流下降斜率下， 对应的反向恢复特性， 本 文就讨论这些问题并做详细的分析。 MOSFET的结构及反向恢复波形分析 沟槽 Trench 型 N 沟道增强型功率