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导轨工艺介绍 涂胶基础步骤 前处理（ 前处理（PRIMING） 涂胶（APPLY） 软烘（SB） AH AC AH AC HP HP HP HP IND TR SC SC DNS 涂胶系统图： 冷板（COOL PLATE） HP：HOT PLATE IND：INDEXER AH：ADHESION CHAMBER WITH HP AC：ADHESION CHAMBER WITH CP SC：SPIN COATER TR：TRANSFER UNIT 涂胶前处理（PRIMING） 目标：增加圆片衬底和光刻胶粘附性 化学试剂：HMDS （ 六甲基二硅胺 ） 气相涂布方法：1。常温下HMDS批处理箱 2。高温低真空下HMDS批处理箱 3。高温低真空下（高温下）HMDS单片处理模块 确定HMDS效果用接触角计测量，通常要求大于65度 前处理注意事项 来片衬底必需是洁净和干燥 HMDS处理后应立即涂胶 HMDS处理不能过分 安全使用HMDS 31 3 1 N2 IN HMDS VAPOR OUT 涂胶（COATING） 影响光刻胶厚度和均匀性关键参数： 环境温度 环境湿度 排风净压力 光刻胶温度 光刻胶量 旋转马达精度和反复性 回吸量 预旋转速度，预旋转时间，最终旋转速度，最终旋转时间，最终旋转加速度 软烘 （ SOFTBAKE ） 软烘目标： 去除光刻胶中溶剂 增加粘附性 提升E0稳定性 降低表面张力 软烘方法： 热对流烘箱 红外线辐射 接触式（靠近式）热版 软烘关键控制点是温度和时间 显影前烘焙（PEB） 目标：降低或消除驻波效应 PEB温度通常要求比软烘高15-20度 PEB通常采取接触式或靠近式热板烘焙 PEB关键控制点是温度和时间 显影（DEVELOPER） 目标： 简单说就是去除已曝光部分光刻胶 显影方法： 浸润显影（IMMESRSION） 喷雾显影（SPRAY） 静态显影（PUDDLE） 影响显影原因： 显影液成份 显影液温度 环境温度 环境湿度 显影液量 显影方法 程序 坚膜（HARDBAKE） 目标： 去除残余显影液，水及有机溶剂 提升粘附性 预防刻蚀时胶形貌变形 方法： 接触式或靠近式热板 DUV 控制关键点是温度和时间 光刻胶工艺 确定光刻胶厚需考虑多个原因： 圆片表面形貌 显影损失胶厚 刻蚀损失胶厚 屏蔽注入所需胶厚 无针孔所需胶厚 光刻胶工艺控制 光刻胶厚度及极差 颗粒 光刻胶缺点 胶量 排风 热板温度 显影液量 显影均匀性 E0 驻波效应（STANDING WAVE） 驻波效应原理： 因为入射光和反射光产生干涉使沿胶厚方向光强形成波峰和波谷产生 降低或消除驻波效应两种方法： PEB 加抗反射层：用有机(TARC/BARC)无机材料(TIN) NO PEB PEB TRACK工艺介绍 摘要 本文简明介绍相关涂胶、显影工艺部分相关内容。 引言 超大规模IC对光刻有五个基础要求，即：高分辨率、高灵敏度、精密套刻对准、低缺点和大尺寸上加工问题（如温度改变引发晶圆胀缩等）。这五个基础要求中，高分辨率、高灵敏度和低缺点和涂胶、显影工艺有很亲密关系。 第一节 涂胶工艺 光刻胶 光刻胶关键由树脂（Resin）、感光剂（Sensitizer）及溶剂（Solvent）等不一样材料混合而成，其中树脂是粘合剂（Binder）, 感光剂是一个光活性（Photoactivity）极强化合物，它在光刻胶内含量和树脂相当，二者同时溶解在溶剂中，以液态形式保留。除了以上三种关键成份以外，光刻胶还包含部分其它添加剂（如稳定剂，染色剂，表面活性剂）。 光刻胶分为正胶和负胶。负胶在曝光后会产生交联（Cross Linking）反应，使其结构加强而不溶解于显影液。正胶曝光后会产生分解反应，被分解分子在显影液中很轻易被溶解，从而和未曝光部分形成很强反差。因负胶经曝光后，显影液会浸入已交联负性光刻胶分子内，使胶体积增加，造成显影后光刻胶图形和掩膜版上图形误差增加，故负胶通常不用于特征尺寸小于0.3um制造。经典正胶材料是邻位醌叠氮基化合物，常见负胶材料是聚乙稀醇肉桂酸酯。CSMC-HJ用是正性光刻胶。 在相同光刻胶膜厚和曝光能量相同时，不一样光刻胶感光效果不一样。在一定曝光波长范围内，能量低而感光好胶称为灵敏度，反之则认为不灵敏。我们期望在能满足光刻工艺要求情况下，灵敏度越大越好，这么可降低曝光时间，从而提升产量。 涂胶 涂胶是在结净干燥圆片表面均匀涂一层光刻胶。常见方法是把胶滴在圆片上，然后使圆片高速旋转，液态胶在旋转中因离心力作用由轴心沿径向飞溅出去，受附着力作用，一部分光刻胶会留在圆片表面。在旋转过程中胶中所含溶剂不停挥发，故可得到一层分布均匀胶膜