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。 什么叫扩散电容什么叫势垒电容二者有何区别 试论 BJT 为什么具有对微弱电信号的放大能 这种由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化 力？怎样提高 BJT 的电流放大系数？ 所产生的电容效应，称为 PN结的扩散电容。 基极电流的微小变化就可以引起集电极电流很大 PN结的空间电荷区对两边的多数载流子都形成 的变化，这也就是 BJT 具有对微弱电信号的放大 势垒，这样就形成了电容效应，称为势垒电容。 能力的原因所在。为了提高 BJT 的电流放大系数 区别：扩散电容和势垒电容是同时存在的。 PN 可以采取以下措施：①减小基区宽度②提高注入 结正偏时，扩散电容大于势垒电容； PN结反偏 比；③提高少子的扩散长度④提高基区杂质浓度 时，扩散电容小于势垒电容 梯度，即提高 。 什么是阈值电压 , 影响阈值电压的因素有哪些？ 试述 M伏安特性的分段模型影响直流特性的 对于增强型 MODFET而言，阈值电压就是使栅 因素有哪些？ 氧化层下面的半导体表面刚刚出现强反型时， 见图中的 AB 段，这一部分称为特性曲线的可 栅极相对于衬底所加的电压，而对于耗尽型 变电阻区 MOSFET，阈值电压就是使栅氧化层下面的导电 见图中的 BC段。这一部分称为特性曲线的饱 沟道刚刚出现夹断所对应的栅极电压。阈值电压 和区。 的大小主要由栅氧化层下面的半导体表面的掺杂 影响直流特性的因素有栅源电压、漏源电压， 浓度、氧化层中的电荷、金属 - 半导体功函数差以 从器件固有参数来看有阈值电压、沟道长度、 及半导体的表面状况有关。 沟道宽度、衬底掺杂浓度、载流子迁移率、氧化 层厚度、氧化层介电常数及栅区的有效面积。 导致漏源击穿的机制有哪几种？各有何特点？ 什么是 MOSFET的跨导？怎样提高跨导？ 答：漏源击穿的机制主要有下面几种： 沟道雪 跨导分为栅跨导和衬底跨导。栅跨导是指在漏源 崩击穿，寄生 NPN击穿，漏源穿通等。沟道雪 电压、衬源电压不变的情况下漏源电流随栅源电 崩击穿的特点是漏、 衬 PN结上所加的电压上升 压的变化率 , 衬底跨导是指在漏源电压、 栅源电压 到一定程度，发生雪崩时所导致的击穿；寄生 不变的情况下漏源电流随衬源电压的变化率。因 NPN击穿是指 NMOSFET的源、衬、漏三个区 为一般使用情况下，衬、源是短路的，所以通常 在沟道长度足够短时形成寄生 NPN晶体管，该 所说的跨导就是指栅跨导。 晶体管满足导通条件时就会引起漏源击穿；漏 要提高跨导就得减小沟道长度，增加沟道宽度， 源穿通是指漏端 PN结在高反压下空间电荷区 选择迁移率高的材料，增加栅区的有效面积，减 展宽，使得漏源之间的中性区消失时，源端 PN 小氧化层厚度等等。 结注入的载流子可以直接被漏端 PN结反向电场 抽取，形成强大的电流所导致的击穿。 精选资料，欢迎下载 。 3.4 分析基区自建电场的来源、方向、大小及作用，并在上述诸方面与空间电荷区自建电场作比较。 来源 方向