电力电子技术王兆安第五版本课后练习习题全部答案.docxVIP

电力电子技术答案 2-1 与信息电子电路中的二极管相比， 电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力 答： 1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在 P 区和 N 区之间多了一层低掺杂 N 区，也称漂移区。低掺杂 杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂 以承受很高的电压而不被击穿。  N 区由于掺 N 区就可 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么 并在门极施加触发电流（脉冲）  答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压， 。或： uAK0 且 uGK0。 2-3.  维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断  答：维持晶闸管导通 的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图 2-27 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流 最大值均为 Im ，试计算各波形的电流平均值 Id1、Id2、Id3 与电流有效值 I1、I2、I3。 解： a) Id1 1 4 Im sin( t ) Im ( 2 1) 0.2717 Im 2 2 2 = 1 (Im sin t) 2d ( wt) Im 3 1 0.4767Im I1= 2 4 2 4 2 1 Im sin td(wt ) Im 2 1) 0.5434 Im ( b) Id2= 4 2 2 1 (Im sin t ) 2 d (wt) 2 Im 3 1 0.6741Im I = 4 2 4 2 2 1 2 Im d ( t) 1 Im c) Id3= 2 0 4 1 0 2 Im 2d ( t) 1 Im I3= 2 2 2-5 上题中如果不考虑安全裕量 ,问 100A 的晶阐管能送出的平均电流 Id1、Id2、 Id3 各为多少这时，相应的电流最大值 Im1、Im2、Im3 各为多少 解：额定电流 IT(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值 I=157A,由上题计算结 果知 I 329.35 a) Im1 0.4767 A, I 232.90 A, 0.5434 I m2 126.56 A Im2 0.6741 Id2 c) Im3=2I=314 1 I m3 78.5 Id3= 4 2-6 GTO 和普通晶闸管同为 PNPN结构 ,为什么 GTO能够自关断 ,而普通晶闸管不 能答：GTO和普通晶阐管同为 PNPN结构，由 P1N1P2和 N1P2N2 构成两个晶体管 V1、V2，分别具有共基极电流增益 1 和 2 ，由普通晶阐管的分析可得， 1 2 1 是器件临界导通的条件。 1 2＞1 两个等效晶体管过饱和而导通； 1 2＜1 不能维持饱和导通而关断。 GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为 GTO与普通晶闸 管在设计和工艺方面有以下几点不同： l)GTO 在设计时 2 较大，这样晶体 管 V2 控制灵敏，易于 GTO关断； 2)GTO导通时 1 2 的更接近于 l，普 通晶闸管 1 2 1.5，而 GTO则为 1 2 1.05 ，GTO 的饱和程度不深，接近 于临界饱和， 这样为门极控制关断提供了有利条件； 3)多元集成结构使每 个 GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得 P2 极区所谓的横 向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 2-7 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得它具有耐受高电压电流的能力答 1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在 P 区和 N 区之间多了一层低掺杂  N 区，也称漂移区。低掺杂  N 区由于掺杂浓 度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂受很高的电压而不被击穿。  N 区就可以承 2-8 试分析 IGBT和电力 MOSFET在内部结构和开关特性上的相似与不同之处 . IGBT 比电力 MOSFET在背面多一个 P 型层， IGBT开关速度小，开关损耗少具有耐脉冲电流冲 击的能力，通态压降较低， 输入阻抗高， 为电压驱动， 驱动功率小。 开关速度低于电力 MOSFET。电力 MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好。所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题。 IGBT驱动电路的特点是 :驱动电路具有较小的输出电阻， Ⅰ GBT是电