半导体物理第四章答案.pdfVIP

下载本文档

1118
0
约3.34万字
约 26页
2020-11-12 发布于福建
举报
版权申诉

半导体物理第四章答案.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

半导体物理导论第四章习题解答习题 1. 证明: n型半导体的费米能级在本征半导体的费米能级之上。证明: 设n 为n型半导体的电子浓度，n 为本征半导体的电子浓度。 n i 其中： n n n i  E Ec F  n N exp  n  n c  k T   0   E Ec F  n N exp  i  i c  k T   0   E Ec F   E Ec F  即 N exp  n N exp  i  c  k T  c  k T   0   0  则 E E F F n i 习题 2. 室温下，半导体Si掺B的浓度为1014cm-3 ，同时掺有浓度为 1.1X1015cm-3 的P，分别求电子浓度、空穴浓度以及费米能级相对于导带底的位置。将该半导体由室温升至570K，则多子浓度、少子浓度又分别为多少？费米能级相对于禁带中央的位置如何？（已知：室温下，ni=1.5X1010cm-3 ，570K时，ni≈2X1017cm-3 ） 1）T=300K时，ni=1.5X1010cm-3 。由于杂质补偿作用，等效的掺杂浓度为： 15 -3 N N N 110 cm D D A 15 -3 n N 110 cm 0 D 2 ni 5 -3 p  2.2510 cm0 n 0 E E F i k T 0 n ne 0 i   n 0