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2020-11-13 发布于天津
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半导体器件基础习题三年月日姓名学号作业务请写上中文姓名学号发往已知铝栅沟的型衬底掺杂浓度栅氧化层厚度山氧化层中固定正电荷密度求铝栅沟的阈值电压解由重冲芦先计算先计算先计算如行需买验定的的接触电位差和半导体掺杂浓凑日娱系芝二触触乙忖一厂壮心心花乙盗心二代入可得可得二已知硅栅沟的型衬底掺杂浓度栅氧化层厚度氧化层中固定正电荷密度多晶硅中掺入磷的浓度求的阈值电压解根据给出的数据可以算出一加竺竺竺型心如故夕加厂沪二人严代入代入根据数据可得根据数据可得根据数据可得根据数据可得可得硅栅沟场区氧化层厚度氧化层中

半导体器件基础习题三 2014年5月27日姓名学号作业务请写上中文姓名、学号，发往luming.sjtu42@。 1，已知铝栅P沟M0SFET的N型衬底掺杂浓度 Nd = 5X 1015 atoms/cm3，栅氧化层厚度山。2 = 1000? 氧化层中固定正电荷密度 Qss /q = 1011 atoms/ cm2 求铝栅P沟MOSFET的阈值电压。解：由 u T = ufb + u重 =（仏-冲-[24+ 5% 芦2I 先计算 q5.() ^1O157.5 x/o=O. 0265Dp q 5.() ^1O15 7.5 x/o =O. 0265 = O.33V 先计算先计算

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