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二维TMDs基光探测器性能研究 摘 要 二维过渡金属硫属化物 （TMDs）已被证明了拥有高载流子迁移率、禁带宽 度对于紫外到近红外光波段理想以及与材料层数相关的能带结构等有利于光探 测器应用的优秀性质。迄今为止，一系列性能优秀的二维TMDs基光探测器已被 制备出来。然而，其中多数的报道都是使用剥离法或化学气相沉积法等的制备技 术，有样品尺寸小、不可控、生产规模小以及生产过程不洁净的缺点。目前大量 关于TMDs基光探测器的报道都是围绕二硫化钼、二硒化钼、二硫化钨等材料展 开，关于二硒化钨 （WSe ）的研究尚未十分成熟，也是一种值得研究的材料。 2 PLD PLD 本文首先对脉冲激光沉积技术（ ）在光探测领域的发展进行了综述。 是物理气相沉积技术的一种类型，它可以根据化学计量比将靶材材料沉积到基底 上。并且PLD 的工艺参数直观、制备过程清洁，是制备大尺寸零维、一维、二 维材料的理想方法。内容根据包括TMDs在内的材料体系分别展开，详细介绍了 材料的特性、优点以及常规的制备方法，并指出其使用PLD 制备的优势所在和 目前已有的关于PLD 制备应用于光探测器的报道。 二维WSe2 作为TMDs家族的一种化合物，拥有与其它TMDs类似的性质， 例如强的光与物质相互作用、与层数相关的能带结构等，是一种十分有潜力的材 料。本文制备了机械剥离的少层WSe 纳米片，以研究其在光探测器应用上的性 2 能。制成的基于光电导效应的WSe2 光探测器在可见光到近红外光范围内均有稳 -1 10 定的响应，获得了不俗的光响应度 （8.573AW ），较高的探测率 （1.210×10 Jones）以及仅为120ms 的响应时间。 结果证明了二维WSe2 在光探测器的应用中非常具有潜力，再考虑到PLD 在 大规模生产上的优势以及该项技术在TMDs应用于光探测器的工作较少，若能将 两者结合，将对二维材料光探测器发展有重要意义。 关键词：光探测器；过渡金属硫属化合物；二硒化钨；脉冲激光沉积技术 I PropertiesofTwo-dimensionalTMDsphotodetector Abstract Two-dimensional transition metal dichalcogenides (TMDs) have been proven to possess high carrier mobility,band gap ideal for ultraviolet to near-infrared spectrum detection and band structure related to the number of layers, etc., which are of great benefit to application to photodetectors. So far, a series of TMDs-based photodetectors with excellent properties have been achieved. However, most of their preparation techniques used are reported to be exfoliation or chemical vapor deposition which have disadvantages of small and uncontrollable sizes, limited scale and unclean process. To date, a large number of reports on TMDs-based photodetectors are mainly based on mat