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第一章 名词解释 肖特基缺陷 特征：晶体中存在着晶格空位。形成原因：这种空位是晶体内部格点上的原子或离子通过接力运动移到表面格点位置后在晶体内所留下的空位。定义：只形成空位不形成间隙原子（构成新的晶面）的晶体空位称为肖脱基缺陷。费仑克尔缺陷 特征：原子离开平衡位置进入间隙，形成等量的空位和间隙原子。形成原因：如果晶体内部格点上的原子或离子移到晶格间隙位置形成间隙原子，同时在原来的格点位置上留下空位，于是晶体中将存在等浓度的晶格空位和填隙原子。定义：将空位-间隙原子对称为费仑克尔缺陷。错位（反结构缺陷） 当同一晶体中主要缺陷是错位的MX和XM时，所形成的缺陷对称为反结构缺陷。可以预料，只有在两种原子尺寸相近和电负性相差不大的化合物中，才会出现这种组成和结构缺陷。思考题 1、在低氧分压高压下，ZnO可能分解形成填隙锌原子，同时产生氧空位，请写出有关缺陷形成的准化学方程式。ZnO=Zni *+Vo*+1/2O2 ↑ 。2、熟悉AB,AB2,A2B3,AB2O4等型化合物的晶体结构及半径径比范围，配位比A:B，配位多面体。AB型：1：氯化铯型 0.93-0.732 8：8 六面体配位 A、B离子各自按简立方点阵排列，然后两者沿空间对角线方向相互移动1/2套构而成，体心结构； 2：岩盐矿型 0.732-0.414 6：6 八面体配位 A、B离子各自安面心立方点阵排列，而后两者沿棱边方向相互移动1/2套构而成； 3：闪锌矿型 0.414-0.155 4：4 四面体配位 A、B两类原子各自按面心立方密堆排列，而后两者沿空间对角线1/4套构而成； 4、纤锌矿型 0.414-0.225 4：4 四面体配位 A、B两类原子各自按六方密堆排列，而后两者沿空间对角线互相移动1/4套构而成。 AB2型：1：萤石型 0.93-0.732 8：4 A离子作立方密堆积成面心立方格子，B离子占据8个1/8晶胞小立方的体心(AB离子位置互换得反萤石结构)； 2、金红石型 0 .732-0.414 6：3 A八面体，B三角形； 3、β—白硅石型 0.414-0.225 4：2。 AB2O4型：尖晶石型 4：6：4(O四面体和八面体)。 A2B3型：α型、γ型 6：4。 ABO3型：钙钛矿型 12：6：6（ReO3 6：2；Cu2O 2：4）。3、已知在923K下ZnO分解形成单电离填隙锌离子，请写出有关缺陷形成的准化学方程式，并根据质量作用定律分析ZnO的电导率与氧分压的关系。 ZnO=Zni。+e+1/2O2 ↑ K=【Zni.】nPi1/2 固体体积为1， 因为【Zni。】=n，所以n正比Po2-1/4 ，又因为电导率σ正比n，所以电导率σ正比Po2-1/4 。4、尖晶石，反尖晶石和不完全尖晶石。O离子作立方密堆积排列成面心立方子格子，金属离子分别处于氧四面体间隙位置（A位）和氧八面体间隙位置（B位）。正尖晶石（大多绝缘体）：所有A离子占据A位，所有B离子占据B位时，记为A2+（B23+）O42-。反尖晶石（半导体）：正尖晶石中所有A离子与其1/2的B离子位置互换，记为B3+（A2+B3+）O42-。不完全尖晶石（半导体）：正尖晶石中只有部分A离子与B离子位置互换，记为（A1-x2+Bx3+）（Ax2+B1-x3+）O42-。5、书写化学反应式：1、晶体中M子晶格的格点数和O子晶格的格点数之比应保持不变（等于化学计量比），但两种子晶格的格点数可以变化；2、反应式必须满足质量守恒定律，即反应式两边的质量总和应相等，空格点的质量为零；3、若反应过程中产生间隙原子（或离子），则反应式要引入等量间隙空位Vi×；4、在描述电离原子缺陷和电子缺陷反应时，必须符合晶体中的电中性条件，即反应式两边的电荷相等。填空 缺陷：体、面、线、点缺陷；杂质缺陷：替位式，间隙式；电子缺陷：本征，非本征电子缺陷；质量作用定律：可逆化学反应在一定温度下达到平衡时，正反两方面参加反应的组元浓度的摩尔次方乘积之比保持常数；气体（逸度），溶液（活度）。 第二章 名词解释 磁畴：铁磁体内部自发磁化的小区域；磁各向异性：沿各个方向磁化所需能量不一样；磁致伸缩效应：由于外加磁场产生磁化强度引起物体的可逆变形；折射率的色散：材料的折射率随入射光频率的减小（或波长的增加）而减小的性质；折射与折射率：光从一种透明 介质斜射入另一种透明介质时，传播方向一般会发生变化，这种现象叫光的折射，光在真空中的相速度与光在介质中的相速度之比值是折射率。思考题 1、什么是热膨胀？影响热膨胀的主要因素有哪些？请根据热膨胀机理简述说明金刚石、石墨、炭黑的热膨胀性能有何不同？ 热膨胀是指材料的体积或长度在不加压力时随温度的升高而增加的现象。因素：化学组成(质点性能，质点大小不同)、晶体结构（