精选幻灯片_半导体的导电性.ppt

4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 63 2020/2/7 64 对于杂质补偿的材料，在杂质饱和电离温度下： ? ? n A D n q N N 1 ? ? － ? A D N N ? 若 （ 4-63 ） A D N N ? ? ? p D A p q N N 1 ? ? － ? 若 （ 4-64 ） 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 n D n q N 1 ? ? ? 只掺 n 型杂质： P A P q N 1 ? ? ? 只掺 p 型杂质： 2020/2/7 65 例题：求室温下本征硅的电阻率。若在本征硅中掺入百万分之一 的硼，电阻率是本征硅多少倍？ 解： 室温本征硅的载流子浓度、电子和空穴的迁移率分别为： ) (cm 10 8 7 -3 9 ? ? . n i s) /V (cm 1350 2 ? ? ? n s) /V (cm 500 2 ? ? ? p 因此电阻率为： ) cm ( . ) ( . . ) ( q n p n i i ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 5 19 9 10 33 4 500 1350 10 6 1 10 8 7 1 1 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 2020/2/7 31 4.2.2 载流子的散射 a. 中性杂质散射：在温度很低时，未电离的杂质 ( 中性杂质 ) 的数目 比电离杂质的数目大得多，这种中性杂质也对周期性势场有一定 的微扰作用而引起散射．但它只在重掺杂半导体中，当温度很低， 晶格振动散射和电离杂质散射都很微弱的情况下，才起主要的散 射作用． b. 位错散射：位错线上的不饱和键具有受主中心作用，俘获电子后 成为一串负电中心 , 其周围将有电离施主杂质的积累，从而形成 一个局部电场，这个电场成为载流子散射的附加电场。 3 ）其他散射机构 2020/2/7 32 4.2.2 载流子的散射 c. 等同能谷间散射：对于 Ge 、 Si ，导带结构是多能谷的，即导带能 量极小值有几个不同的波矢值．载流子在这些能谷中分布相同， 这些能谷称为等同能谷．对这种多能谷半导体，电子的散射将不 只局限在一个能谷内，而可以从一个能谷散射到另一个能谷，这 种散射称为谷间散射． 2020/2/7 33 复习题 : 1. 什么是迁移率 ? 为什么说电子的迁移率要 比空穴迁移率大 ? 2. 为什么温度越高 , 电离杂质对载流子的 散射越弱 ? 3. 在极性半导体中，为什么纵光学波而不 是横光学波对载流子的散射是主要的？ 33 2020/2/7 34 复习： E v d ? ? n μ n 和 μ p 分别称为电子迁移率和空穴迁移率。 物理意义：表示在单位场强下电子或空穴所获得的平均漂移速度大 小，单位为 m 2 /V· s 或 cm 2 / V· s ． E v p ? p ? 迁移率 34 2020/2/7 35 复习： 声学波散射概率与温度的关系： 2 3 s p T ? 2 3 i i p － T N ? 电离杂质对载流子的散射概率 : 散射几率随温度的变化主要取决于 平均声子数，其随温度按指数上升 : ? ? 1 ex p 1 0 a ? ? T k h P O ? 35 2020/2/7 36 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 2020/2/7 37 4.3.1 迁移率的简单理论分析 平均自由时间 ：连续两次碰撞间的时间间隔。 散射几率 是载流子速度的函数。先不考虑电子的速度 分布，即认为电子有统一的速度。 平均自由时间和散射几率是描述散射过程的两个重要 参量，以电子运动为例来求两者关系。 2020/2/7 38 4.3.1 迁移率的简单理论分析 设有 N 个电子以速度 v 沿某方向运动， N(t) 表示在 t 时刻尚 未遭到散射的电子数。则 t 到 t ＋△ t 时间内被散射的电 子数为 N(t) P △ t ，即： ? ? ? ? ? ? ? ? t t t t t lim dt t d 0 t PN N N N ＝－ － ＋ ? ? ? ? ? 当△ t 很小时，可以写为： t P t N t t N t N ? ? ? ? ? ) ( ) ( ) ( （ 4-27 ） （ 4-28 ） 2020/2/7 39 4.3.1 迁移率的简单理论分析 0 ( ) exp( ) N t N Pt ? ? 式（ 4-28 ）的解为： （ 4-29 ） 0 exp( ) N P Pt dt ? 是 t ＝ 0 时未遭散射的电子数。所以在 t 到 t ＋ dt 时间内 被散射的电子数为： 0 N 由于 dt 很小，因此这些粒子的平均自由时间为 t 。 （ 4-30 ） 39 2020/2/7 40 4.3.1 迁移率的简单理论分