半导体物理复习题集.docx

第一章、 半导体中的电子状态习题 1-1 、什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2 、试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3 、试指出空穴的主要特征。 1-4 、简述 Ge、Si 和 GaAS的能带结构的主要特征。 1-5 、某一维晶体的电子能带为 E( k ) E0 1 0.1cos(ka) 0.3sin( ka) 其中 E0=3eV，晶格常数 a=5х10-11 m。求： 1）能带宽度； 2）能带底和能带顶的有效质量。题解： 1-1 、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥ Eg）被激发到导带成为导电电子 的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子 - 空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。 1-2 、解：电子的共有化运动 导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。 温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与 允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此， Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数。 1-3 、解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下： A、荷正电： +q； B、空穴浓度表示为 p（电子浓度表示为 n）； C、EP=-En D、mP*=-mn* 。 1-4、解： 1） Ge、Si: a）Eg (Si ：0K) = 1.21eV ；Eg (Ge：0K) = 1.170eV ；b）间接能隙结构 c）禁带宽度 Eg 随温度增加而减小； （2） GaAs： a）Eg（300K）= 1.428eV ，Eg (0K) = 1.522eV ； b）直接能隙结构； c）Eg 负温度系数特性： dEg/dT = -3.95 ×10-4 eV/K； 1-5 、 解： （1）由题意得： dE 0.1aE0 sin(ka) 3cos(ka) dk dE 2 0.1a 2E0 cos(ka) 3sin(ka) d 2k 令 dE 0,得 tg（ ka） 1 dk 3 k1a 18.4349o , k2a 198.4349o 当 k1 a 18.4349o , dE2 2 0.1a2 E0 (cos18.4349 3sin 18.4349) 2.28 10 40 0, d k 对应能带极小值； 当 k2a 198.4349o , dE 2 0.1a2 E0 (cos198.4349 3sin198.4349) 2.28 10 40 0, d 2k 对应能带极大值。 则能带宽度 E E max E min 1.1384eV （2） dE 2 1 mn* 带底 1 2.28 10 h2 d 2k 6.625 10 则 k1  1 40 34 2 1.925 10 27 kg 1 dE 2 1 2.28 10  40  1 mn* 带顶 2 d 2k 6.625 10 h k2  1.925 10 27 kg 34 2 答：能带宽度约为 1.1384Ev，能带顶部电子的有效质量约为 1.925x10 -27 kg，能带底部电子的有效质量约为 -1.925x10 -27 kg。 第二章、半导体中的杂质和缺陷能级 2-1 、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？ 2-2 、什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出 n 型半导体。 2-3 、什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出 p 型半导体。 2-4 、掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。 2-5 、两性杂质和其它杂质有何异同？ 2-6 、深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响？ 2-7 、何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？ 题解： 2-1 、解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离 后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提 供电子或向价带提供空穴。 2-2 、解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供 电子，这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主 电离。 施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在 Si 中掺 P，P 为Ⅴ族元素，本征半 导体 Si 为Ⅳ族元素， P 掺入 Si 中后， P 的最外层电子有四个与 Si 的最外层四个 电子配对成为共价电子，而 P 的第五个外层电子将受到热激发挣脱原子实的束缚进入导带成为自由电子。这个过程就是施主电离。