微电子器件 （绪论）.pptVIP

* 微 电 子 器 件 电子科技大学 微电子与固体电子学院 张庆中 总学时数：72 学时 其中课堂讲授：60 学时，实验：12 学时 成绩构成： 期末考试：70 分、平时：20 分、实验：10 分 绪 论 1 、电子器件发展简史 1904年：真空二极管 1907年：真空三极管 电子管 1948年：双极型晶体管 1960年：实用的MOS场效应管 固体器件 1956年：出现扩散工艺，60 年代初出现硅平面工艺，为今后 集成电路的大发展奠定了技术基础。 1970年：大规模集成电路（LSI，10 3 ～10 5 元件或 10 2 ～5×10 3 等效门 ）。 1959年：中小规模集成电路（IC）。 1977年：超大规模集成电路（VLSI，以64K DRAM、16位 CPU 为代表 ）。 1986年：巨大规模集成电路（ULSI，以 4M DRAM 为代表 ， 8×10 6元件，91 mm2，0.8 ?m ，150 mm ）。 1995年：GSI（以1G DRAM 为代表， 2.2×10 9元件，700 mm2， 0.18 ?m ， 200 mm ，2000 年开始商业化生产。） 分析半导体器件的基本