电力电子技术试题及答案王兆安第一套.docx

考试试卷一一 一、填空题(本题共8小题，每空1分，共20分) 1、 电子技术包括 和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、 为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在 状态。当器件的工作频率较高时， 损耗会成为主要的损耗。 3、 在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为 ，当它为常数时的调制方式称为 调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比 为桓定的调制方式称为 调制。 4、面积等效原理指的是， 相等而 不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时， 其效果基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是 单管输出功率最大 TOC \o 1-5 \h \z 的是 ，应用最为广泛的是 。 6设三相电源的相电压为 U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。 如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路 (用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为 ； (2) t1~t2时间段内，电流的通路为 ； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为 ； (4) t3~t4时间段内，电流的通路为 ； (5) t4~t5时 间段内，电流的通路为 ； 、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14 分） 1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ ） A、 V1与V4导通，V2与V3关断 B、 V1常通，V2常断，V3与V4交替通断 C、 V1与V4关断，V2与V3导通 D、 V1常断，V2常通，V3与V4交替通断 2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ ） A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶 闸管的导通角小于180度 B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能 正常工作 C、 晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为 180度 TOC \o 1-5 \h \z D、 晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为 180度 3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在 t1~t2时间段内，有（ ） 晶闸管导通。 A、1个 B、2个 C、3个 D、4个 4、对于单相交交变频电路如下图，在 t1~t2时间段内，P组晶闸管变流装置与 N组晶闸管变 流装置的工作状态是（ ） A、P组阻断，N组整流 B、P组阻断，N组逆变 C、N组阻断，P组整流 D、N组阻断，P组逆变 7 7 5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ ） A、30。?150 B、0。?120 ° C、15。?125 ° D、0°?150 ° 6、 桓流驱动电路中加速电容 C 的作用是（ ） A、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件 7、 直流斩波电路是一种（ ）变换电路。 A、 AC/AC B、 DC/AC C、 DC/DC D、 AC/DC 8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ） A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路 C、di/dt抑制电路 D、吸收电路 9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ） B、减小至擎住电流以下D B、减小至擎住电流以下 D、减小至5A以下 ） B、 MOSFET 驱动的 GTR 、MOSFE驱动的 GTO 7 分） C、减小至门极触发电流以下 10、 IGBT 是一个复合型的器件，它是（ A、 GTR 驱动的 MOSFET C、MOSFET区动的晶闸管 D 三、简答题（共 3 小题，22分） 1、简述晶闸管导通的条件与关断条件 2、电压型逆变电路的主要特点是什么？（ 8 分） 3、简述实现有源逆变的基本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因（ 分） 四、作图题（共2小题，每题12分，共24分） 1、三相全控桥，阻感负载，主回路整流变压器的接法是 D,y5,采用NPN管的锯 齿波触发器，要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经 R-C滤波器 滤波后（滞后角为30。°接到触发电路。同步变压器的的接法为Y/Y-10,4接法, 如下图所示，选择晶闸管的同步电压。（要给出分析过程，分析依据） 晶闸管 VT1 VT2 VT3 VT4 VT5 VT6 主电路电压 + Uu -Uw + Uv -Uu + Uw -Uv 同步电压 2、电路与