05-MOSFET在感性负载下的开关损耗公式推导[共40页].ppt

MOSFET在感性负载下的 开关损耗公式 张兴柱 博士 2015年6月 ;一：分析MOSFET开关过程的原理图;1：电流负载下的等效电路;2：分析用MOSFET的简化等效电路;二：MOSFET的开关过程原理及分析;-- 在t0前，MOSFET工作于截止状态，t0时，MOSFET被驱动开通；;[t0-t1]区间：;开通过程的轨迹图;[t1-t2]区间：;开通过程的轨迹图;[t2-t3]区间：;开通过程的轨迹图;开通损耗：;2：MOSFET的关断过程原理;-- [t6-t7]区间：图中蓝色Phase2这段轨迹。 在t6时刻，MOSFET进入放大区，因DS电流不变，导致 GS电容电压不变，反向驱动电流变成恒定，并对GD电 容放电，使DS电压继续增加。;[t6-t7]区间：;-- [t7-t8]区间：图中黄色Phase3这段轨迹。 至t7时刻，MOSFET的DS电压升至Vds(peak2)，使二极管D 导通，DS电流下降，GS电压也开始继续下降，直到下降到 维持电压Vgsth（t8时刻）为止，此时MOSFET DS的电流 已降为零 。;[t7-t8]区间：;[t8-t9]区间：图中红色Phase4这点轨迹。 至t8时刻，MOSFET已完全关断；该区间内GS电容继续放电直 到t9时刻，其电压为 零为止。;关断损耗：;三：MOSFET的开关过程原理及分析;1：开关过程的典型波形区别;2：开通过程的轨迹图区别;3：关断过程的轨迹图区别;4：开通损耗的区别;开通损耗：;[t2-t3]区间：;续前页：;5：关断损耗的区别;关断损耗：;[t6-t7]区间：;续前页：;四：MOSFET的开关损耗变化;CCM模式且选用快恢复或超快恢复二极管时，才会有二极管的反向恢复问题。 它只影响MOSFET的开通过程波形，不影响MOSFET的关断过程波形。对开通 过程波形的影响，可以用下面的图来近似。;二极管手册中，会给出一个图，用来查其某一关断电流下的反向恢复时间，如右边：但因实际工作中的di/dt不是图中的di/dt，所以该图的数据也只能作一参考。;五：MOSFET的开关损耗总结;1：CCM工作点的损耗计算公式(二极管无反向恢复时)：;2：DCM工作点的损耗计算公式(此时的二极管没有反向恢复问题)：;3：ZVS工作点的损耗计算公式：;CCM工作点的??耗在非ZVS与ZVS下的损耗比较(二极管无反向恢复时) ：