CMOS器件模型(课件2)[宣讲].pptVIP

三、MOS小信号模型 简化计算的线性模型； 在大信号电压和电流完全可以用直线表示时才有效； 基于大信号模型所实现，依赖于大信号工作条件。 * 精品PPT | 实用可编辑 等效跨导gbd、gbs和沟道跨导gm、gmbs、gds * 精品PPT | 实用可编辑 饱和区小信号跨导 * 精品PPT | 实用可编辑 非饱和区小信号跨导 * 精品PPT | 实用可编辑 四、Spice Level 3 Model * 精品PPT | 实用可编辑 BSIM3V3 Model 工业标准MOS Spice仿真模型； 适用于亚微米、沈亚微米CMOS工艺； 充分考虑了阈值电压的减小、迁移率的退化、沟道长度调制效应、热电子效应等； 支持Hspice、Spectre等仿真工具； * 精品PPT | 实用可编辑 MOSFET49级模型(Level=49, BSIM3V3) 1995年10月31日由加州柏克莱分校推出.基于物理的深亚微米MOSFET模型. 可用于模拟和数字电路模拟。模型考虑了 (1) 阈值电压下降, (2) 非均匀掺杂效应, (3) 垂直电场引起的迁移率下降, (4) 载流子极限漂移速度引起的 沟道电流饱和效应, (5) 沟道长度调制 (6) 漏源电源引起的表面势垒降低而使阈值电压下降的静电反馈效应. (7) 衬底电流引起的体效应 (8) 亚阈值导通效应 (9) 寄生电阻效应 * 精品PPT | 实用可编辑 互连线 互连线设计应该注意以下方面： 大多数连线应该尽量短 最小宽度 保留足够的电流裕量 多层金属 趋肤效应和寄生参数（微波和毫米波） 寄生效应 * 精品PPT | 实用可编辑 电阻 实现电阻有三种方式： 1.晶体管结构中不同材料层的片式电阻（不准确） 2.专门加工制造的高质量高精度电阻 3.互连线的传导电阻 * 精品PPT | 实用可编辑 (a)单线和U-型电阻结构 (b)它们的等效电路 阻值计算 最小宽度 * 精品PPT | 实用可编辑 栅漏短接的MOS有源电阻及其I-V曲线 Ron 直流电阻 Ron交流电阻 rds 栅、漏短接并工作在饱和区的MOS有源电阻 * 精品PPT | 实用可编辑 饱和区的NMOS有源电阻示意图 直流电阻 Ron交流电阻 rds 条件：VGS保持不变 VGS保持不变的饱和区有源电阻 * 精品PPT | 实用可编辑 对于理想情况，Oˊ点的交流电阻应为无穷大，实际上因为沟道长度调制效应，交流电阻为一个有限值，但远大于在该工作点上的直流电阻。在这个工作区域，当漏源电压变化时，只要器件仍工作在饱和区，它所表现出来的交流电阻几乎不变，直流电阻则将随着漏源电压变大而变大。 * 精品PPT | 实用可编辑 总结： 有源电阻的几种形式 ( a ) ( d ) 和 ( c ) 直流电阻 Ron交流电阻 rds ( b )和( e ) 直流电阻 Ron交流电阻 rds * 精品PPT | 实用可编辑 电容 在高速集成电路中，有多种实现电容的方法： 1）利用二极管和三极管的结电容； 2）利用叉指金属结构； 3）利用金属-绝缘体-金属(MIM)结构； 4）利用类似于MTM的多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构； * 精品PPT | 实用可编辑 (a)叉指结构电容和(b)MIM 结构电容 * 精品PPT | 实用可编辑 电容 平板电容公式 高频等效模型 自谐振频率 f0 品质因数 Q f f0 / 3 * 精品PPT | 实用可编辑 电感 集总电感 单匝线圈版图 a，w 取微米单位 * 精品PPT | 实用可编辑 式中：ri=螺旋的内半径，微米， r0=螺旋的外半径，微米， N=匝数。 多匝螺旋形线圈电感值计算公式为： * 精品PPT | 实用可编辑 电感 电感精度：电感模型 * 精品PPT | 实用可编辑 传输线电感 获得单端口电感的另一种方法是使用长度ll/4λ波长的短电传输线(微带或共面波导)或使用长度在l/4λ ll/2λ范围内的开路传输线。 双端口电感与键合线电感 短路负载： 开路负载： * 精品PPT | 实用可编辑 分布参数元件 集总元件和分布元件 随着工作频率的增加，一些诸如互连线的IC元件的尺寸变得很大，以致它们可以与传输信号的波长相比。这时，集总元件模型就不能有效地描述那些大尺寸元件的性能，应该定义为分布元件。 * 精品PPT | 实用可编辑 微带线 (a) (b) 典型微带线的剖面图(a)和覆盖钝化膜的微带线(b) * 精品PPT | 实用可编辑 TEM波传输