(完整版)半导体器件物理试题库 .pdfVIP

西安邮电大学 微电子学系 商世广 半导体器件试题库 常用单位： 在室温（ T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 ni 10 3 = 1.5 10× /cm 电荷的电量 q= 1.6 ×10-19 n 2 p 2 C μ=1350 cm /V s μ=500 cm /V s -12 ε0=8.854 ×10 F/m 一、半导体物理基础部分 （一）名词解释题 杂质补偿： 半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时， 施主和受主在导电性能上有互相抵消 的作用，通常称为杂质的补偿作用。 非平衡载流子： 半导体处于非平衡态时， 附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度， 额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。 迁移率： 载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。 晶向： 晶面： （二）填空题 1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为 、多晶和 三种。 2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置， 可分为 杂质和 杂质两种。 3．点缺陷主要分为 、 和反肖特基缺陷。 4 ．线缺陷，也称位错，包括 、 两种。 5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向 弯曲，获得空穴时，能带 向 弯曲。 6．能向半导体基体提供电子的杂质称为 杂质；能向半导体基体提供空穴的杂 质称为 杂质。 7．对于 N 型半导体，根据导带低 EC 和 EF 的相对位置，半导体可分为 、弱简 并和 三种。 8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是 、 。 西安邮电大学 微电子学系 商世广 9．在 Si-SiO2 系统中，存在 、固定电荷、 和辐射电离缺陷 4 种基 本形式的电荷或能态。 10．对于 N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向 移动；对于 P 型半 导体，当温度升高时，费米能级向 移动。 （三）简答题 1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？ 2．说明元素半导体 Si 、 Ge 中主要掺杂杂质及其作用？ 3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？ 4 ．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？ （四）问答题 1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？ 要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？ （五）计算题 1．金刚石结构晶胞的晶格常数为 a，计算晶面（ 100）、（110）的