CMOS工艺流程.版图.剖面[宣讲].pptVIP

3 版图分解： 1. 刻P阱 2. 刻P+区/环 3. 刻n+区 4. 刻栅、预刻接触孔 5. 刻接触孔 6. 刻Al 7. 刻纯化孔 * 精品PPT | 实用可编辑 4 版图分解： 1. 刻P阱 2. 刻P+区/环 3. 刻n+区 4. 刻栅、预刻接触孔 5. 刻接触孔 6. 刻Al 7. 刻纯化孔 * 精品PPT | 实用可编辑 4) 硅栅MOS版图举例 E/E NMOS反相器 ?刻有源区 ? 刻多晶硅栅 ?刻NMOS管S、D ?刻接触孔 ? 反刻Al 图5 E/E NMOS反相器版图示意图 * 精品PPT | 实用可编辑 E/D NMOS 反相器 刻有源区 刻耗尽注入区 刻多晶硅栅 刻NMOS管S、D 刻接触孔 反刻Al 图6 E/D NMOS 反相器版图 * 精品PPT | 实用可编辑 制备耗尽型MOS管 在MOS集成电路中，有些设计需要采用耗尽型MOS管，这样在MOS工艺过程中必须加一块光刻掩膜版，其目的是使非耗尽型MOS管部分的光刻胶不易被刻蚀，然后通过离子注入和退火、再分布工艺，改变耗尽型MOS管区有源区的表面浓度，使MOS管不需要栅电压就可以开启工作。 然后采用干氧－湿氧－干氧的方法进行场氧制备，其目的是使除有源区部分之外的硅表面生长一层较厚的SiO2层，防止寄生MOS管的形成。 * 精品PPT | 实用可编辑 硅栅CMOS与非门版图举例 刻P阱 刻p+环 刻n+环 刻有源区 刻多晶硅栅 刻PMOS管S、D 刻NMOS管S、D 刻接触孔 反刻Al 图7 硅栅CMOS与非门版图 * 精品PPT | 实用可编辑 8 * 精品PPT | 实用可编辑 硅栅P阱CMOS反相器版图设计举例 5. 刻NMOS管S、D 6. 刻接触孔 7. 反刻Al (W/L)p=3(W/L)n 1. 刻P阱 2. 刻有源区 3. 刻多晶硅栅 4. 刻PMOS管S、D * 精品PPT | 实用可编辑 为满足欧姆接触要求，布线工艺是在含有5~10%氢的氮气中，在400~500℃温度下热处理15~30分钟(也称成形forming)，以使铝和硅合金化。最后还要定出PAD接触窗，以便进行bonding工作。 (上述形成的薄膜厚度的计算可采用光学衍射、倾斜研磨、四探针法等方法测得)。?? * 精品PPT | 实用可编辑 * 精品PPT | 实用可编辑 2. 典型P阱CMOS工艺的剖面图 源 硅栅 漏 薄氧化层 金属 场氧化层 p-阱 n-衬底 （FOX） 低氧 * 精品PPT | 实用可编辑 CMOS process p+ p+ p- * 精品PPT | 实用可编辑 Process (Inverter)p-sub P-diffusion N-diffusion Polysilicon Metal Legend of each layer contact N-well GND 低氧 场氧 p-sub p+ In VDD S G D D G S 图例 * 精品PPT | 实用可编辑 Layout and Cross-Section View of Inverter In Top View or Layout Cross-Section View P-diffusion N-diffusion Polysilicon Metal Legend of each layer contact VDD GND GND Out VDD Inverter In Out N-well 图例 * 精品PPT | 实用可编辑 Process field oxide field oxide field oxide * 精品PPT | 实用可编辑 3. Simplified CMOS Process Flow Create n-well and active regions Grow gate oxide (thin oxide) Deposit and pattern poly-silicon layer Implant source and drain regions, substrate contacts Create contact windows, deposit and pattern metal layers * 精品PPT | 实用可编辑 N-well, Active Region, Gate Oxide Cross Section n-well Top View S G D D G S Metal Metal Met