电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全).docx

电力电子技术试题 第 1 章 电力电子器件 1. 电力电子器件一般工作在 __开关 __状态。 2. 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为 __开关损耗 __。 电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路 __、 _驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 _保护电路 __。 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _ 双极型器件 _ 、_复合型器件 _三类。 5. 电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截止 _。 电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、 _快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。7.肖特基二极管的开关损耗 _小于 _快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止 __ 。 9.对同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于 __IH 。 10.晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为， UDSM_大于 __Ubo 。 11.逆导晶闸管是将 _二极管 _与晶闸管 _反并联 _（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 __多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和 区对应后者的 _饱和区 __。 14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。 的开启电压 UGE（th ）随温度升高而 _略有下降 __，开关速度 __小于 __电力 MOSFET。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压 驱动型 _和_电流驱动型 _两类。 的通态压降在 1/2 或 1/3 额定电流以下区段具有 __负 ___温度系数， 在 1/2 或 1/3 额定电流以 上区段具有  __正 ___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（  Power Diode ）、晶闸管（  SCR）、门极可关断晶闸管（  GTO）、 电力晶体管（  GTR）、电力场效应管（电力  MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（  IGBT）中，属 于不可控器件的是 _电力二极管 __，属于半控型器件的是 __晶闸管 _，属于全控型器件的是 _ GTO 、 GTR 、电力  MOSFET、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有  _电力  MOSFET _，属于双 极型器件的有  _电力二极管、晶闸管、  GTO 、 GTR _，属于复合型电力电子器件得有  __ IGBT _； 在可控的器件中，容量最大的是 _晶闸管 _，工作频率最高的是 _电力 MOSFET，属于电压驱动 的是电力 MOSFET、 IGBT _，属于电流驱动的是 _晶闸管、 GTO 、 GTR _。 第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是 _电压和电流成正比且波形相同 _，在单相半波可控整流电阻性负载电 路中，晶闸管控制角 α的最大移相范围是 _0-180O_。 2.阻感负载的特点是 _流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角  α的最大移相范围是  __0-180O _  ，其承受的最大正反向电压 均为 ___，续流二极管承受的最大反向电压为  ___（设  U2 为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，  α角移相范围为  __0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为 __ 和_；带阻感负载时， α角移相范围为 _0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 ___和 ___；带反电动势负载时，欲使电阻 上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个 _平波电抗器 _。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角 α大于不导电角时，晶闸管的导通角 =_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角  =_π-2_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压  UFm 等于 ___，晶 闸管控制角 α的最大移相范围是  _0-150o_ ，使负载电流连续的条件为  ____(U2  为相电压有效 值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差  _120o _，当它带 阻感负