PN节学习总结心得体会半导体物理[宣贯].pptVIP

第二章1 BJT直流特性 概念和定义 原理机理机制过程 分析计算方法 基本结构,杂质分布; 发射结注入,基区输运,集电结收集; 电流放大系数,中间参量; 缓变基区自建电场; 反向电流及击穿电压 直流特性曲线; 基极电阻; E-M模型 放大原理; 载流子传输过程; 缓变基区自建电场对载流子输运及分布的影响; 放大系数影响因素及改善措施; 击穿电压及相互关系; 势垒穿通; 厄尔利效应 基区载流子(少子,电子)密度分布; 电流密度分布; 电流增益; 缓变基区晶体管发射效率,方块电阻; 基极电阻,等效功率法; 分贝 * 精品PPT | 实用可编辑 第三章 双极型晶体管的频率特性 3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数 3.2 晶体管的交流特性分析 3.3 晶体管的高频参数及等效电路 3.4 高频下晶体管中载流子的输运及中间参数 3.5 晶体管电流放大系数的频率关系 3.6 晶体管的高频功率增益 3.7 工作条件对晶体管fT、Kpm的影响 * 精品PPT | 实用可编辑 第三章 频率特性 概念和定义 原理机理机制过程 分析计算方法 交流电流放大系数与频率参数; 高频参数及等效电路; 高频下载流子输运及中间参数; 高频功率增益; 最佳高频功率增益; 高频优值 基区宽变效应; 高频下载流子输运及中间参数; 工作条件对频率参数的影响 交流特性分析; 高频参数及等效电路* 放大系数的频率关系; 高频优值 * 精品PPT | 实用可编辑 第四章 双极型晶体管的功率特性 4.1 集电极最大允许工作电流 4.2 基区大注入效应对电流放大系数的影响 4.3 有效基区扩展效应 4.4 发射极电流集边效应 4.5 发射极单位周长电流容量 4.6 晶体管最大耗散功率PCM 4.7 二次击穿和安全工作区 * 精品PPT | 实用可编辑 第四章 功率特性 概念和定义 原理机理机制过程 分析计算方法 集电极最大允许工作电流; 基区大注入自建电场; 发射极有效长度、宽度; 二次击穿; 安全工作区; 发射极镇流电阻 基区大注入对电流放大系数的影响; 基区电导调制效应; 有效基区扩展效应:均匀基区,缓变强场,缓变弱场; 发射极电流集边效应; 二次击穿:电流集中,雪崩注入 几个临界电流密度; 热阻; 耗散功率; 转换效率 * 精品PPT | 实用可编辑 第五章 二极管和双极型晶体管的开关特性 5.1 p-n结二极管的开关特性 5.2 晶体管的开关作用 5.3 晶体管的开关过程和开关时间 5.4 开关晶体管的正向压降和饱和压降 * 精品PPT | 实用可编辑 第五章 开关特性 概念和定义 原理机理机制过程 分析计算方法 开关时间,反向恢复时间,贮存时间,下降时间; 晶体管开关时间定义; 正向压降,饱和压降; 临界饱和基极电流; 过驱动电流; 饱和,截止状态; 电荷控制参数 开关作用; 电荷存储效应; 反向恢复过程; 缩短二极管开关时间措施; 晶体管开关作用,特点及要求; 开关过程; 电荷存储效应; 提高开关速度的措施 反向恢复时间; 贮存时间,下降时间; 电荷控制法; 电荷控制方程; 开关时间 * 精品PPT | 实用可编辑 第六章 结型场效应晶体管 6.1 基本工作原理 6.2 直流特性与低频小信号参数 6.3 交流特性 6.4 功率特性 6.5 结构举例 * 精品PPT | 实用可编辑 第七章 MOS场效应晶体管 7.1 基本工作原理和分类 7.2 阈值电压 7.3 电流—电压特性和直流特性曲线 7.4 击穿特性 7.5 频率特性 7.6 功率特性和功率MOSFET的结构 7.7 开关特性 7.8 温度特性 7.9 短沟通和窄沟道效应 * 精品PPT | 实用可编辑 第六章 JFET&MESFET 概念和定义 原理机理机制过程 分析计算方法 分类,符号; 直流参数; 交流参数; 频率参数 基本结构,工作原理; 特性曲线; 特性影响因素; 短栅器件的速度饱和效应; 串联电阻的影响; 温度效应 直流参数; 交流参数; 频率参数 * 精品PPT | 实用可编辑 第七章 MOSFET 概念和定义 原理机理机制过程 分析计算方法 阈值电压; 直流参数; 小信号低频参数; 高频功率增益; 开关时间; 短沟道效应,判据 基本结构,工作原理; 阈值电压; 击穿机制; 雪崩注入及应用; 沟道长度调制效应; 漏区电场静电反馈效应; 低频小信号模型; 密勒效应; 开关特性; 温度特性; 短沟道和窄沟道效应 阈值电压; 直流特性分析; 直流参数; 低频参数; 频率特性; 开关时间 * 精品PPT | 实用可编辑 第八章 晶体管的噪声特性 8