21世纪变频调速技术展望 .pdfVIP

仅供个人参考 21 世纪变频调速技术展望 （北京冶金工业部） 沈龙大 Shen,Longda 摘要 ?押介绍了变频器新技术及相关核心技术，电力电子器件，数字矢量控制 技术的现状及未来展望。 关键词 ?押２１世纪变频技术 ; 交交变频器 ; ＧＴＯ变频器 ; ＩＧＢＴ变频器 ; 电力电 子器件 ; 展望 文章编号 :1008-0570(2004)07-0037-04 １ 前言 现代变频技术是交流电动机控制的核心技术， 而变频技术的核心是功率变换器件和微电子控 制技术。 电力电子和微电子技术的发展， 推动了变频技术的发展， 反过来变频技术的发展又 对电力电子变换器件提出了新要求。 ２０世纪是电力电子变频技术由诞生到发展的一个全盛 时代。２０世纪３０年代应用机械旋转式变频机组， 将工频电源变换成低于工频以下的电源， 功率变换器件是原动机发电机机组，存在效率低、损耗大、噪声大、体积大等问题。６０年 代 ＳＣＲ ( 晶闸管 ) 问世，７０年代晶闸管变频器开始逐步取代变频机组，进入了电力电子 变频技术时代， 使变频技术有了新发展。 但由于晶闸管换向是靠外界电源自然换向或被强迫 换向的， 只能控制导通而不能直接控制关断， 因此需要复杂的换向电路和电压、 电流保护回 路，控制复杂， 开关频率低，目前主要用于交交变频器。 ８０年代自关断器件大功率双极性 晶体管 ＧＴＲ的问世， 出现了高性能 ＧＴＲ变频器， 曾经红过一阵， 其性能大大优于晶闸 管变频器，很快就在工业领域得到推广应用。但由于ＧＴＲ、 ＧＴＯ ( 可关断晶闸管 Ｇａ ｔｅ Ｔｕｒｎ Ｏｆｆ ) 为电流控制器件、存在驱动功率大、开关频率不高、并联困难等问 题，影响实现大容量化及高频低损耗。用户的高频化要求推进了功率器件栅极的ＭＯＳ化， ９０年代 ＭＯＳ场控型 ＩＧＢＴ ( 绝缘栅晶体管 Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐ ｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ) 广泛用作变频器的功率变换器件。 它具有开关频率高、 并 联容易，容易实现高压大容量化、控制方便的特点，所以一登场就体现了强大生命力， 很快 取代了 ＧＴＲ，其应用从通用变频器 ( ＩＮＶ) 、不间断电源 ( ＵＰＳ ) 、数值控制 ( ＮＣ ) 、 伺服 ( ＳＶ) 、机器人，以至扩大到家用电器、办公自动化、医疗器械、太阳能发电等所有领 域。 ＩＧＢＴ变频器已成为９０年代变频调速技术的主流，在未来２１世纪相当长的一段 时间内仍将是电气传动领域的主导变频器。 在２１世纪ＩＧＢＴ智能化模块ＩＧＢＴ， ＩＰ Ｍ及智能化变频器将会有很大的发展。 功率器件及变频器的智能化是将功率变换、 驱动、 检 测、控制、保护等功能集成化，实现高效节能、多功能、高性能、高附加值化。同时将研究 开发新电力电子器件 ＩＧＣＴ ( 集成门极强驱动晶闸管Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｃｏｍｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ ) 、ＭＣＴ ( ＭＯＳ控制晶闸管ＭＯＳ Ｃｏｎｔ ｒｏｌｌｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ ) 、ＩＥＧＴ ( 集成发射式门极晶闸管 Ｉｎｔｅｇｒａｔ ｅｄ Ｅｍｉｔ Ｇａｔｅ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ ) 、 ＧａＡｓ ( 砷化嫁 ) 、 ＳｉＣ ( 碳化硅复 合器件 ) 、 ＳＩＴＨ ( 静电感应晶闸管 ＳｔａｔｉｃＩｎｄｕｃｔ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ