化学机械抛光CMP技术概述.pptx

化学机械抛光CMP技术概述; 硅片的表面起伏问题与解决方案化学机械平坦化CMP CMP主要影响因素工艺参数因素与选择抛光液相关问题探讨;硅片的表面起伏问题 ;平坦化的定性说明;平坦化的定性说明;化学机械平坦化CMP 获取全局平坦化的一种手段是化学机械抛光(简称CMP)。这些设备的销售从1990年到1994年上升了三倍，从1994年到1997年上升了四倍。尽管最初它只是开发用于互连平坦化，今天它也用于像器件隔离这些工艺。在微电子制造的早期，最普遍的生产工艺是，先???一层厚的介质层，通常是使用旋涂或CVD法生长技术在器件表面形成一层玻璃，然后将硅片放在一种包含有胶质的磨料悬浮液和腐蚀剂的碱性膏剂中机械研磨。KOH和NaOH是最常用的悬浮液的基体。典型的pH值大约是10，维持这个值，以便保持硅石颗粒的负向充电，便于避免形成大量的冻胶网状物。有时使用一种pH缓冲剂用于保证工艺的稳定性。所用颗粒的尺寸通常取决于所要求的去除速率。抛光膏剂之中的固态成分保持在(12~30)％。;CMP工艺被设计用来产生一个全局平整的表面，既无划伤也无玷污。由于被用于抛光膏剂中的SiO2颗粒并不比被抛光的表面硬，可以避免器件表面的机械损伤。由于CMP能够形成平整的表面，CMP硅片能产生很少的金属线缺陷，像短路和开路，这两种缺陷最常发生在图形的边缘。 ;;;;;;;;图1 化学机械研磨设备示意图;;图2 研磨机台表面配置;CMP原理: 在一定压力及抛光液的存在下,抛光机的抛光头夹持住被抛光工件相对于抛光垫做高速的相对运动,抛光液在工件与抛光点之间连续流动,抛光液中的氧化剂对裸露的工件表面进行腐蚀,产生了氧化膜,借助于抛光液中的微粒的机械研磨作用去除氧化膜,由于表面的微观不平整,凹处的氧化膜未被去除,以及抛光液中的缓蚀剂等化学成分生成钝化膜,保护了金属不被氧化;凸处的氧化膜被去除,新的裸露的工件表面又被氧化剂腐蚀,产生氧化膜,再通过微粒的研磨作用去除氧化膜,如此反复作用,对工件表面进行材料去除,使被抛光表面形成光洁表面,达到全局平整化 .; 表面材料与磨料发生化学反应生成一层相对容易去除的表面层，这一表面层通过磨料中的研磨剂和研磨压力与抛光垫的相对运动被机械地磨去。;;;;; 抛光的工艺参数亦会对抛光后的表面粗糙度和表面形貌等产生重要的影响,主要的工艺参数有抛光速度、抛光压力、抛光液流量、抛光时间等，它们以不同的方式和程度影响着抛光结果;;抛光液;络合剂：能与金属离子形成络合离子的化合物,在CMP中主要作用是与表面的氧化物结合生成可溶性物质,防止对抛光表面产划伤。 表面活性剂：以适当的浓度和形式存在于环境(介质)中时,可以减缓或加速材料腐蚀，得到较好的表面平坦化效果 氧化剂：能够快速地在加工表面形成一层软氧化膜,表面膜的存在可以降低表面的硬度,便于后续的机械去除,从而提高抛光效率和表面平整度 pH值：决定了最基本的抛光加工环境,会对表面膜的形成、材料的去除分解及溶解度、抛光液的粘性等方面造成影响 磨料：磨料的尺寸、形状、在溶液中的稳定性、在晶圆表面的粘附性和脱离性对抛光效果都有着重要的作用 ;抛光垫的选择;;因此，Rodel另一系列的IC(品名)产品，具较低压缩性，较高硬度的MicroporousPolyurethane，可以有效提升平坦度的效果，但均匀度的控制降低。使用IC1000／Suba IV的组合垫则兼顾了平坦度与均匀度的效果，也就成为今日对氧化硅薄膜在CMP工艺的主要研磨垫。稳定的工艺除了选择适当的研磨垫外，适当的保养则是必要的过程。在研磨过程中，研磨垫表面材质也会耗损，变形。;;聚氨酯抛光垫;聚氨酷抛光垫： 主要成分是发泡体固化的聚氨酷,其表面许多空球体微孔封闭单元结构, 这些微孔能起到收集加工去除物、传送抛光液以及保证化学腐蚀等作用,有利于提高抛光均匀性和抛光效率,但是由于硬度较大,能够得到较高的抛光去除率,但容易产生划痕 ;带绒毛的无纺布抛光垫;带绒毛的无纺布抛光垫： 这种抛光垫以无纺布为基体,中间一层为聚合物,表面层为多孔的绒毛结构;当抛光垫受到挤压时,抛光液会进入到空洞中,而在压力释放时会恢复到原来的形状,将旧抛光液和反应物排出,并补充新的抛光液;这种抛光垫硬度小!压缩性大!弹性好,可获得较小的表面粗糙度 ;化学机械研磨工艺控制;;;图3 热氧化硅薄膜的CMP刻蚀速率与压力的关系;图4 热氧化硅薄膜的CMP刻蚀速率与平台转速的关系 ;; CMP技术的优点 1. 全局平坦化，台阶高度可控制到50?左右 2. 平坦化不同的材料 3. 平坦化多层材料 4. 减小严重表面起