单晶硅生长技术现状分析.pptx

单晶硅生长技术现状分析;单晶硅简介;单晶硅简介;应用简介;;单晶硅生长的原材料:多晶硅原料的制备技术;工艺及化学反应式分别如下;;单晶硅主要生长方法;直拉法生长硅单晶;直拉法单晶硅生长原理示意图;直拉法单晶硅生长设备;1 －晶体上升旋转机构； 2 －吊线； 3 －隔离阀； 4 －籽晶夹头； 5 －籽晶； 6 －石英坩埚； 7 －石墨坩埚； 8 －加热器； 9 －绝缘材料； 10－真空泵； 11 －坩埚上升旋转机构； 12 －控制系统； 13 －直径控制传感器； 14 －氩气； 15 －硅熔体;直拉法单晶硅生长工艺;直拉法??长单晶硅工艺流程图; 目前, 直拉法生产工艺的研究热点主要有: 先进的热场构造 磁场直拉法 对单晶硅中氧浓度的控制;先进的热场构造;先进的热场构造;直拉炉中增加热屏后平均拉速明显提高的原因主要有两个： 一方面，热屏阻止加热器的热量向晶体辐射，减弱了固液界面热辐射力度； 另一方面，热屏起到了氩气导流作用。在敞开系统中，氩气流形成漩涡，增加了炉内气氛流的的不稳定性，氩气对晶体的直接冷却能力弱，不利于生长出无位错单晶。增加热屏后，漩涡消失，氩气流速增加，对晶体的直接冷却和溶液界面吹拂能力加强。;温度-距离曲线（晶体）;磁场直拉法;垂直磁场对动量及热量的分布具有双重效应。垂直磁场强度过大（Ha=1000/2000），不利于晶体生长。 对无磁场、垂直磁场、勾形磁场