电力电子器件的发展.pdfVIP

电力电子器件的发展浅析 引言 电子技术被认为是现代科技发展的主力军，电力电子就是电力电子 学，又称功率电子学，是利用电子技术对电力机械或电力装置进行系统 控制的一门技术性学科，主要研究电力的处理和变换，服务于电能的产 生、输送、变换和控制。 （电力电子的发展动向）电力电子技术包括功 率半导体器件与IC技术、功率变换技术及控制技术等几个方面，其中电 力电子器件是电力电子技术的重要基础，也是电力电子技术发展的“龙 头” 。 电力电子器件(Power Electronic Device)又称为功率半导体器件，用 于电能变换和电能控创电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安， 电压为数百伏以上) 电子器件。广义上电力电子器件可分为电真空器件 (Electron Device)和半导体器件(Semiconductor Device)两类。 1 电力电子器件 1.1概述 1957年可控硅( 晶闸管) 的问世，为半导体器件应用于强电领域的自 动控制迈出了重要的一步，电力电子开始登上现代电气传动技术舞台， 这标志着电力电子技术的诞生。20世纪60年代初已开始使用电力电子这 个名词，进入70年代晶闸管开始派生各种系列产品，普通晶闸管由于其 不能自关断的特点，属于半控型器件，被称作第一代电力电子器件。随 着理论研究和工艺水平的不断提高，以门极可关断晶闸管 （GTO ）、电 力双极性晶体管 （BJT ）和电力场效应晶体管 （Power-MOSFET ）为代 表的全控型器件迅速发展，被称作第二代电力电子器件。80年代后期， 以绝缘栅极双极型晶体管 （IGBT ）为代表的复合型第三代电力电子器 件异军突起，而进入90年代电力电子器件开始朝着智能化、功率集成化 发展，这代表了电力电子技术发展的一个重要方向。 1.2发展 1.2.1 整流管 整流管是电力电子器件中结构最简单、应用最广泛的一种器件。目 前主要有普通整流管、快恢复整流管和肖特基整流管三种类型。电力整 流管在改善各种电力电子电路的性能、降低电路损耗和提高电源使用效 率等方面发挥着非常重要的作用。目前，人们已通过新颖结构的设计和 大规模集成电路制作工艺的运用，研制出集PIN整流管和肖特基整流管 的优点于一体的具有MPS、SPEED和SSD等结构的新型高压快恢复整流 管。它们的通态压降为IV左右，反向恢复时间为PIN整流管的1/2 ，反向 恢复峰值电流为PIN整流管的1/3 。 1.2.2 晶闸管 自1957年美国通用电气公司GE研制出第一个晶闸管开始，其结构 的改进和工艺的改革，为新器件开发研制奠定了基础，其后派生出各种 系列产品。1964年，GE公司成功开发双向晶闸管，将其应用于调光和 马达控制；1965年，小功率光触发晶闸管问世，为其后出现的光耦合器 打下了基础；60年代后期，出现了大功率逆变晶闸管，成为当时逆变电 路的基本元件；逆导晶闸管和非对称晶闸管于1974年研制完成。 晶闸管只能由门极控制导通，导通后门极便失去控制作用，因此称 之为半控型器件，普通晶闸管(Thysister)是 目前阻断电压最高、流过电 流最大、承受、能力最强的电力电子器件，现在已能生产8kV/4kA和 6kV/6kA 的晶闸管。但由于PN结的载流子积蓄效应，开关频率只能在 500Hz 以下。 1.2.3 门极可关断晶闸管 （GTO） GTO可达到晶闸管相同水平的电压、电流等级，工作频率也可扩展 到1kHz 。1964年，美国第一次试制成功了0.5kV/ 10A 的GTO 。自70年代 中期开始，GTO 的研制取得突破，相继出世了1300V/600A 、 25OOV/I000A 、4500V/2400A 的产品，目前已达到9kV/25kA/0.8kHz及6 kV/6kA/ 1kHz 的水平。GTO包括对称、非对称和逆导三种类型。非对称 GTO相对于对称GTO ，具有通态压降小、抗浪涌电流能力强、易于提高 耐压能力(3000v 以上) 的特点。逆导型GTO ，由于是在同一芯片上将 GTO与整流二极管反并联制成的集成器件，因此不能承受反向电压，主 要用于中等容量的牵引驱动中。 在当前各种自关断器件中，GTO容量最大，工作频率最低， 通态压 降大、及耐量低，需要庞大的吸收电路。但其在大功率电力牵引驱动中 有明显的优势，因此它在中高压领域中必将 占有一席之地。 1.2.4 大功率晶体管 (GTR) GTR是一种电流控制的双极双结电力电子器件，20世纪