2020第七章半导体存储器与可编程器件.pptVIP

1024 × 4 位 RAM （ 2114 ）的结构框图 CS ? 0, 且 R / W ? 1 ：读 CS ? 0, 且 R / W ? 0 ：写 读出或写入时间约为： 0.1~0.25 s ? CS ? 1 : 高阻 二、 SRAM 的存储单元 六管 N 沟道增强型 MOS 管 T 1 ~ T 4 为基本 RS 触发器， 作存储单元 X i ? 1 时，能在 1 行中被选中， T 5 , T 6 导通， Q 、 Q ? 与 B j 、 B ? j 相通 当 C S ? ? 0 时， 若 R ? ? 1 , 则 A 1 导通， A 2 与 A 3 截止， W Q ? I ，读操作 O 若 R ? 0 , 则 A 1 截止， A 2 与 A 3 导通， ? W I ? Q ，写操作 O Y j ? 1 时，所在列被选中， ? 第 i 行 T 7 , T 8 导通，这时 ? 单元与缓冲器相连 ? 第 j 列 7.3.2* 动态随机存储器（ DRAM ） 动态存储单元是利用 MOS 管栅极电容 可以存储电荷的原理 7.4 存储器容量的扩展