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* * * 场效应管的符号及特性 场效应三极管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道的不同，以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。如果按统一规定正方向，特性曲线就要画在不同的象限。 为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定（电流方向）。有关曲线绘于下图之中。 结型场效应管 N 沟 道 P 沟 道 图 各类场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 N 沟 道 耗 尽 型 绝缘栅场效应管 P 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 增 强 型 四种MOS管的比较： 1. 对于P沟道器件，VDD必为负值，衬底必须接在电路中的最高电位上。对于N沟道器件， VDD必为正值，衬底必须接在电路中的最低电位上。 2. 就UGS而言，增强型器件是单极性的，其中P沟道为负值，N沟道为正值，而耗尽型器件则可正可负。 3.N沟道器件，UGS向正值方向增大， ID 越大；P沟道器件， UGS越向负值方向增大， ID越大。 2.5.3 场效应三极管的参数和型号 一、直流参数 (1)开启电压UGS(th) (或UT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对 值, 场效应管不能导通。 UDS一定， iD 0。 (2)夹断电压UGS(off) (或UP) 夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为零时的UGS值 。即当UGS=UGS(off) 时,漏极电流为零（微小电流）。 (3)饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当UGS=0时，产生预夹断时所对应的漏极电流。 (4)直流输入电阻RGS（DC） 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管， 反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～ 1015Ω。 二、交流参数 (1)低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，即 uGS对iD的控制作用。 (3)输出电阻rd： (2)极间电容：三个极间均存在电容。 gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 三、极限参数 (1)最大漏级电流IDM： 正常工作漏极电流上限值。 (2)击穿电压 最大漏源电压U(BR)DS 最大栅源电压U(BR)GS (3)最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= U (BR)DS IDM决定。 * * *
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