南邮材料化学MC2016-Chapter5-b.pptVIP

Key terms: melt growth method, solution growth method, super cool, pulling method, crucible pot descent method, zone melting method, flame fusion method, liquid phase epitaxy method, temperature gradient 利用热能引发化学反应 反应温度通常高达800~2000℃ 加热方式 电阻加热器 高频感应 热辐射 热板加热器 热CVD反应器的类型 用于硅片外延生长的垂直冷壁式CVD装置 用于沉积金刚石的热CVD装置 * 利用等离子体激发化学反应，可以在较低温度下沉积; 包含了化学和物理过程。 等离子体种类 辉光放电等离子体（glow-discharge plasma）； 使用高频电磁场（例如频率为2.45GHz的微波） 射频等离子体（RF plasma）； 使用13.56MHz的射频场 电弧等离子体（arc plasma）。 低频率（约1MHz）、高电功率（1~20MW） 优点： 工件的温度较低，可消除应力； 同时其反应速率较高。 缺点 无法沉积高纯度的材料； 反应产生的气体不易脱附； 等离子体和生长的镀膜相互作用可能会影响生长速率。 利用光能使分子中的化学键断裂而发生化学反应