DB13T 5092-2019 太阳能级类单晶硅锭用方籽晶通用技术要求.pdfVIP

ICS 27.160 F 12 河 北 省 地 方 标 准 DB 13/T 5092—2019 太能级类单晶硅用方籽晶用 技术求 2019 - 11 - 28 发布 2019 - 12 - 28 实施 发 布 DB13/T 5092—2019 前 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的则。 注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担别些专利的任。 本标准由河北省太能光伏标准化技术委员会 （HeB/TC 14）归口。 本标准单位：利能源 （中国）有公司、保定天威利新能源有公司。 本标准主人：张沫、孟庆、夏新中、刘磊、李叶、张丽娜、史、志军。 I DB13/T 5092—2019 太能级类单晶硅用方籽晶用技术求 1 围 本标准定了太能级类单晶硅用方籽晶的技术求和方法。 本标准用于将晶向为100的单晶硅棒开方后按一定厚度切割得到的类单晶硅用方籽晶。 2 性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本 （包括所有的修改单）用于本文件。 GB/T 1550 本征半导体材料导电类型测方法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐检方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中氧含的红外吸收测方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含红外吸收测方法 GB/T 4058 硅抛光片氧化生缺的检方法 GB/T 14264 半导体材料术 GB/T 29054 太能级多晶硅块 GB/T 30453 硅材料原生缺图 3 术和定义 GB/T 14264、GB/T 30453和GB/T 29054界定的及下列术和定义用于本文件。 3.1 方籽晶 square seed 在类单晶硅程中到导形核作用的晶硅块。 3.2 晶旋 rotat ion angle of the crysta l face 单晶硅棒在开方前相对于单晶硅棱线位置旋的度(图1中α)。 1 DB13/T 5092—2019 图1 晶旋示意图 3.3 圆弦 rounded corner chord length 开方时因切割位置出现偏差导致方籽晶出现圆,圆弦为开方切割线与晶棒