IGBT模块失效分析报告示例1—FF1200R17KE3_B2-超过安全工作区-email.pdfVIP

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2020-12-15 发布于浙江
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IGBT模块失效分析报告示例1—FF1200R17KE3_B2-超过安全工作区-email.pdf

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北京xxx 有限责任公司发文号：xx 第10-05-17-1 号文件所属部门品质部电话 xxxx 传真 xxxx E-mail xxx 内容 IGBT 模块失效分析客户 xxxx 整流器有限责任公司接收日期： 2010 年x 月xx 日型号 FF1200R17KE3_B2 数量 1 用户经办人经办人王浩检测内容：来料IGBT 模块型号为FF1200R17KE3_B2 1 块。要求供货方对此模块进行检测。并给出检测报告。说明：红色方框标示处为失效的芯片图1. FF1200R17KE3_B2 模块的电路图图2 模块的IGBT 1 芯片烧毁,有源区表面有轻微的熔化痕迹图3. 模块的IGBT 1 芯片烧毁,熔化点显微照片，箭头所指位置处黑点图4 模块的IGBT 1 芯片烧毁显微照片,有源区表面有圆形的熔化痕迹检测结果及分析：经检查模块外观良好，但有涂抹硅胶、端子插拔上机使用痕迹。经检测，该模块损坏的IGBT 下管的GCE 端子短路，这说明耐压层已经烧穿。照片中可以判断，很轻微的圆形熔化区域出现在芯片的有源区，其中心有熔化的孔洞，是明显的超过器件安全工作区造成的损伤。纠正预防措施： 1. 为了提高安全性和产品可靠性，不用的IGBT 要用负压确保关断，直接短接GE 的办法在高压大电流的时候无法保证； 2. 驱动器M57962 没有高级有源钳位功能，在IGBT 模块短路时，无法有效的保护IGBT 模块，容易导致IGBT 过压或超过安全工作区失效； 3. 在降压斩波电路中，电压变化率高，可考虑适当增大门极电阻的阻值，使 IGBT 模块更多的处于安全工作区； 4. 驱动器M57962 的保护门槛电压过低，容易造成误保护，建议选在10V 以上； 5. 门极保护二极管选用18V 齐纳二极管； 6. 驱动器M57962 延时在1us 左右，不支持直接并联技术，如果并联使用会造成驱动信号不同步，模块电流不均，进而损坏IGBT 模块。处理意见：单位签章：北京xxxxxx 有限责任公司品质部 2010-05-17