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半导体器件物理总结;第一章;1。突变结的电荷、电场、电势分布，耗尽区宽度和电容。;第二章-异质结,金属-半导体接触;金属-半导体接触 1。不同偏置状态金属-n型和p型半导体接触的能带图像。 2。什么是肖特基效应，该效应对势垒的影响。 3。金属-半导体接触中主要的输运机制有哪些？ 4。热电子发射理论和扩散理论的适用情况？需要考虑隧穿输运的条件？热电子发射理论的推导。 5。如何确定势垒高度？两种极限情况是什么？如何测量？如何调节势垒高度？ 6。肖特基二极管与pn结二极管的主要区别？ 7。如何形成欧姆接触？;1。BJT的能带结构，基本放大原理。 2。静态特征：各电流的成分和关系。 3。共基极，共发射极电流增益，发射效率，基区输运因子，及关系。 4。Gummel数，集电极电流，发射极掺杂浓度，大注入效应等对电流增益的影响。 5。晶体管的四种工作模式，各模式下的少数载流子分布。基区少子分布与偏压的关系。 6。共基极组态和共发射极组态输出特性的差别。 7。如何增加特征频率，如何提高开关速度。 8。什么是二次击穿。什么是发射极电流集边效应，如何解决。;第四章-MIS结构 ;第四章 MOSFET;第五章;1。隧道二极管 2。碰撞电离雪崩渡越时间二极管 3。转移电子器件;公式: ;肖克莱方程，理想二极管定律 ;MIS结构的电中性条件：