电子技术基础(模拟部分)习题答案.docxVIP

word文档，下载后可编辑。 word文档，下载后可编辑。 填空 杂质半导体分为 N 型和 P 型两种类型。 在下述电路中，能使二极管导通的电路是 VD R=1K QVD VD R=1K Q 20v10v10v20v 20v 10v 10v 20v 在电路中测出某硅材料NPN三极管的三个电极对地电位为Vb=1.3V、 Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于 放大工作状态。 衡量双极型三极管放大能力的参数是 B ，衡量其温度稳定性的参 数是 I CBO o N沟道J型FET工作在恒流区的条件是 _ Uds UGs(off)_，它的截止条件为 U Gs W UgS ( OFF) o 在基本OCL功放电路中，设电源电压为士 15V,负载电阻 R.=8Q，贝卩理想情 况最大输出功率为 _ 14.06 _ W，理想效率为 78.5%_ o 在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为 偏置电 路和有源负载 广泛使用。 通用型集成运放的输入级一般采用 差分放大电路 电路，其主要目的是 抑 制0点漂移 。 9 .为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入 直流负反馈 ，为了稳定放大 倍数应引人 交流负反馈 o 正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。 要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是I AF I =1_，相位平衡条件是 a+^ f_=0 _ o 在放大电路的设计中， 主要引入_负—反馈以改善放大电路的性能。 此外， 利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展 频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲 _放大倍数 为代价的。 N型半导体是在单晶硅中掺入 五 价的微量元素而形成的，多数载流子 是自由电子，少数载流子是 空穴 。 半导体PN结具有 单相导电性 特性。 在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V，错二极管的开启电压约 为 0.1 V， 晶体三极管基本放大电路有 共射极、共集电极 和 共基极 三种组 ^态。 在差动式放大电路中， 差模输入信号等于两个输人端信号的 一之差_;共模 输入信号等于两个输入信号的—和的一半_。 设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入 电压 负反馈: 若要稳定输出电流，应引入 电流 负反馈：若要增加输入电阻，应引入 串联负反馈。 设某开环放大电路中，在输入信号电压为 1mv时，输出电压为 1v:当引 入负反馈后达到同样的输出电压时， 需加输入信号为10mv。由此可知所加的 反馈深度为 10，反馈系数为0.009。 直流稳压电源由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波电路 和 稳压电路 四部分组成。 BJT属于 电流 控制电流型器件,对应的FET是属于 电压 控制 电流型器件。 在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的 差__:共模输 入信号等于两个输入信号的一算术平均值 。 选择 1.半导体中的少数载流子产生的原因是 [C ] 外电场 B. 内电场 C. 热激发 D. 掺杂 PN结加正向电压时，耗尽层 [B ] A.变宽 A.变宽 C.不变 .以上三种情况均有可能 温度升高后，二极管的反向电流将 .增大减小 .增大 C.不变4.某晶体管 C.不变 4.某晶体管i b从20卩A变到 40卩A时，对应i c从1.55mA变到3.05mA,则该管 B =75 B. B =50 C. B =100 D. [3 =77.5 5.晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于 [D ] 发射结反编、集电结反偏 B. 发射结正偏、集电结正偏 C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结正偏、集电结反偏 6.在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为 1kHz、 5mV的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真时 [B] A.饱和失真 B. 截止失真 C. 交越失真 D. 频率失真 7.场效应管本质上是一个 [B ] A.电流控制电流源器件 B. 电压控制电流源器件 C.电流控制电压源器件 D. 电压控制电压源器件 8.以下属于电压跟随器的电路有 [B ] A.共射极电路 B . 共集电极电路 C .共基极电路 D. 共栅极电路 9.放大电路在小信号运用时动态特性如放大倍数、输入电阻、输出电阻等应 采用的方法[C ] A.图解法 B.瞬时极性法 A.图解法 B. 瞬时极性法 C.微变等效电路法 D.估算法 [A ] [A ] B. 采用h参数等效电路 D.采用n型等效电路 10.功率放大电路通常采用的分析方法是 A.利用三极管特性进行图解分析 C.采用简化的h参数等效电路 11.理想集成运放两个输入端之间的电压非常接近简称。 [C ] A.虚地 B .虚断 C .虚短 D .短