芯片制造流程（芯片设计、晶圆制造、封测）.pptVIP

* * * * 2020年第二季度：日月光21.8%，安靠18.5%，矽品14.4%，长电13.4%。 * 芯片设计 晶圆制造 封测 1）在电脑上用EDA软件来设计芯片电路。 2）把设计好的电路图转移到光刻掩膜版（光罩）上面。 3）扩展知识一：EDA三巨头 Synopsys：新思科技，美国加州 Cadence：楷登电子，美国加州 Mentor Graphics：明导国际，美国俄勒冈州，被西门子收购 4）扩展知识二：知名无晶圆芯片设计厂商（Fabless） Xilinx 海思半导体 Altera 紫光展锐 Broadcom 中兴微电子 Qualcomm 大唐微电子 MediaTek 全志科技 5）扩展知识三：制作光罩的关键设备，光罩写入机厂商 NuFlare Technology，纽富来科技，日本 JEOL，美国 IMS Nanofabrication，奥地利 晶圆主要材料：硅 晶圆材料，除硅材料之外，还有： GaAs（砷化镓） SiC（碳化硅） GaN（氮化镓） …… 1）硅提纯 将沙子在高温下加工提炼并分离，经冷却后形成多晶硅块。 2）生成单晶硅棒 将高纯度多晶硅块（99.999999999%）进一步提炼成单晶硅棒。 3）单晶硅棒切片 将单晶硅棒研磨后切割成圆镜一样的薄片。 4）晶圆抛光 改善前制程所留下的微缺陷，提高晶圆平坦度。 5）晶圆氧化 在晶圆表面生成一层薄薄的二氧化硅，氧化成膜。 6）涂抹光刻胶 将光阻剂（光刻胶）涂于晶圆表面。 扩展知识：光刻胶厂商 JSR，日本 TOK，日本 Fujifilm（富士电子材料），日本 Shin-Etsu Chemical（信越化学），日本 Dow Chemical（陶氏化学），美国 7）光刻 把光罩上的电路图转移到光刻胶上。 将光刻胶层透过光罩曝光在紫外线之下，形成电路图案。 扩展知识：光刻机厂商 ASML（阿斯麦），荷兰 Nikon（尼康），日本 Canon（佳能），日本 上海微电子，中国 8）刻蚀 把光刻胶上的电路图转移到晶圆上。 去除晶圆表面未被光刻胶覆盖的特定区域，以沉积其它材料。 9）清除光刻胶 把晶圆表面的光刻胶去除掉，此时就完成了第一层设计好的电路图案。 10）晶圆掺杂 掺杂有扩散和离子注入两种方式，在晶圆表面下的特定位置处形成最小功能的电路单元。 11）晶圆研磨 再次打磨晶圆表面，使晶圆表面平坦化。 12）重复6-11步 有多少层光罩就需要重复多少次。 涂抹光刻胶 光刻 刻蚀 晶圆研磨 掺杂 清除光刻胶 13）薄膜沉积 把最小功能的电路单元连接起来。 薄膜沉积，是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面的扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。 14）晶圆测试（Circuit Probing或Chip Probing），也叫中测（CP Test），目的是将晶圆中的不良芯片挑选出来。 15）晶圆包装 先给晶圆覆膜，再将其插入包装盒中，发往封测工厂。 芯片制造的整个流程就分这三段，绝大大部厂商都只做其中的一段，能把三段全部做完的很少，据我所知，可能就只有Intel, TI, ST, Samsung。 * * 光罩，石英材料制成，相当于照相机的底片。大规模的集成电路，比如处理器，光罩层数在80层左右。 * 中国的高端芯片设计，受制于这三大EDA软件。 * * * * 砷化镓、氮化镓，微波器件；碳化硅，高压功率器件。 * * * 硅片厚度和硅片直径正相关，厚度一般不会超过1mm，12寸（30cm）的硅片厚度在0.8mm左右。 * * 后面的几道工序，都是在这层薄膜上进行的。 * * 90%的光刻胶需要进口。 * 光刻的过程，类似于照片冲印。 * ASML市场份额占了80%以上。上海微电子光刻机能生产90nm工艺的芯片，成熟产品是封测设备。 * * * * * * * * * 台积电占51%的市场份额；中芯国际占4.4%。 * * * * 芯片制造的整个流程就分这三段，绝大大部厂商都只做其中的一段，能把三段全部做完的很少，据我所知，可能就只有Intel, TI, ST, Samsung。 * * 光罩，石英材料制成，相当于照相机的底片。大规模的集成电路，比如处理器，光罩层数在80层左右。 * 中国的高端芯片设计，受制于这三大EDA软件。 * * * * 砷化镓、氮化镓，微波器件；碳化硅，高压功率器件。 * * * 硅片厚度和硅片直径正相关，厚度一般不会超过1mm，12寸（30cm）的硅片