压阻式压力传感器.pdf

第二节 压阻式传感器 固体受到作用力后，电阻率就要发生变化，这种效应称为压阻效应。半导体材 料的这种效应特别强。利用半导体材料做成的压阻式传感器有两种类型：一种是利 用半导体材料的体电阻做成的粘贴式应变片；另一类是在半导体材料的基片上用集 成电路工艺制成扩散电阻，称扩散型压阻传感器。压阻式传感器的灵敏系数大，分 辨率高。频率响应高，体积小。它主要用于测量压力、加速度和载荷参数。 因为半导体材料对温度很敏感，因此压阻式传感器的温度误差较大，必须要有 温度补偿。 1. 基本工作原理 根据式（ 2 －3 ） 式中， 项，对金属材料，其值很小，可以忽略不计，对半导体材料， 项很大，半导体电阻率的变化为 (2 －22) 式中 为沿某晶向的压阻系数， σ为应力， 为半导体材料的弹性模量。如半 导体硅材料， , ，则 ，此例表明，半导体材料的灵敏系数比金属应变片灵敏系数 (1 ＋2 μ) 大很多。可近似认为 。 半导体电阻材料有结晶的硅和锗，掺入杂质形成 P 型和 N 型半导体。其压阻效 应是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化 而形成的。由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的压阻系数不仅与掺 杂浓度、温度和材料类型有关，还与晶向有关。所谓晶向，就是晶面的法线方向。 晶向的表示方法有两种，一种是截距法，另一种是法线法。 x y z 1．截距法 设单晶硅的晶轴坐标系为 、 、 ， r s t 如图 2 －29 所示，某一晶面在轴上的截距分别为 、 、 (2 －23) 1/r 、1/s 、1/t 为截距倒数，用 r 、s、t 的最小公倍数分别相乘，获得三个没有 公约数的整数 a、b、c ，这三个数称为密勒指数，用以表示晶向，记作〈 a b c 〉， 某数（如 a）为负数则记作〈 b c 〉。例如图 2 －30(a) ，截距为－ 2、－2、4 ，截 距倒数为－ 、－ 、 ，密勒指数为〈 1〉。图 2 －30(b) 截距为 1、1、1，截 距倒数仍为 1、1、1，密勒指数为〈 1 1 1〉。图 2 －30(c) 中 ABCD面，截距分别为 1、 ∞、∞，截距倒数为 1、0、0，所以密勒指数为〈 1 0 0 〉。 2．法线法 如图 2 －29 所示，通过坐标原点 O，作平面的法线 OP， 与 x 、y 、 z 轴的夹角分别为 α、β、γ 。 (2 －24) cos α、cos β、cos γ为法线的方向余弦，如果法线 p 的大小与方向已知，则该 平面就是确定的。如果只知道 p 的方向，而不知道大小，则该平面的方位是确定的。 若通过 p 在 x 、y 、z 坐标系中作长方形，与 x 、y 、z 的交点分别为 L、M、N。方向余 弦也可用 l 、m、n 来表示，其中 ， ， 。对同一个平面，则可 由（2－23）式或（ 2 －24 ）式表示，则由（ 2