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双掺杂铁基型超导体铁基超导论文导读采用两步固相反应法在母相结构的中掺入实现电子与空穴的双掺杂该体系超导转变温度在范围取决于名义掺杂量在实验范围内掺杂量越大转变温度越高当二时达到磁电阻测量表明高掺杂量样品例如二具有较高的上临界场和不可逆场其剩余电阻率也较大交流磁化率和磁化临界电流密度研究表明低磁场下磁通耗散在秒时间窗口变化并不明显而高应用磁场下其磁通钉扎力密度对温度依赖性强中高温区下降到小于表明高磁热状态下当前多晶体样品的磁通钉扎性能有待提高论文关键词铁基超导双掺杂临界电流密度引言年发现的新型铁碑
双掺杂铁基1111型超导体Nd_铁基超导
论文导读:：采用两步固相反应法，在母相FeAs-llll结构的
NdFeAsO中掺入BaF2,实现电子与空穴的双掺杂。该体系超导转变 温度(Tc)在33-50 K范围，取决于名义BaF2掺杂量X。在实验范围内， 掺杂量越大，转变温度越高，当x二0.2时，Tc达到50K。磁电阻测量 表明：高掺杂量样品(例如x二0.2)具有较高的上临界场(Hc2)和不可 逆场(Hirr),其剩余电阻率(RRR)也较大。交流磁化率和磁化临界电流 密度研究表明，低磁场下磁通耗散在10-2~10-4秒时间窗口变化并不 明显，而高应用磁场下其磁通钉扎力密度(Fp)对温度依赖性强，
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