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(4) 动态 RAM 和静态 RAM 的比较 DRAM SRAM 存储原理 集成度 芯片引脚 功耗 价格 速度 刷新 电容 触发器 高 低 少 多 小 大 低 高 慢 快 有 无 主存 缓存 4.6 非易失性半导体存储器 只读存储器(ROM) 2. 可编程序的只读存储器(PROM) 3. 可擦可编程序的只读存储器(EPROM) 4. 可电擦可编程序只读存储器(E2PROM) 5. 快擦除读写存储器(Flash Memory) 表4.1 列出几种存储器的主要应用 4.7 DRAM的研制与发展 4.8 半导体存储器的组成与控制 存储器容量扩展 用 1K × 4位 存储芯片组成 1K × 8位 的存储器 ？片 (1) 位扩展 （增加存储字长） 10根地址线 8根数据线 D D … … D 0 4 7 9 A A 0 ??? 2114 2114 CS WE 2片 用 2片 16K*4位的存储芯片组成16K*8位的存储器 图4.18 位扩展连接方式 (2) 字扩展（增加存储字的数量） 用 1K × 8位 存储芯片组成 2K × 8位 的存储器 11根地址线 8根数据线 ？片 2片 1K× 8位 1K× 8位 D7 D0 ??? ??? ??? ??? ??? WE A1 A0 ??? A9 CS0 A10 1 CS1 用 4片