电子设计仿真与EDA技术 11.2 Multisim 11在模拟电子技术中的应用 实验任务-模拟器件和电路仿真实验01.docx

电子设计仿真与EDA技术 电子设计仿真与EDA技术 Multisim电路的仿真测量（模拟器件和电路仿真） 1.二极管参数测试仿真实验 半导体二极管是由PN结构成的一种非线性元件。典型的二极管伏安特性曲线可分为4个区：死区、正向导通区、反向截止区、反向击穿区，二极管具有单向导电性、稳压特性，利用这些特性可以构成整流、限幅、钳位、稳压等功能电路。 半导体二极管正向特性参数测试电路如图1-1所示。表1-1是正向测试的数据，从仿真数据可以看出：二极管电阻值不是固定值，当二极管两端正向电压小，处于“死区”，正向电阻很大、正向电流很小，当二极管两端正向电压超过死区电压，正向电流急剧增加，正向电阻也迅速减小，处于“正向导通区”。 图1-1 二极管正向特性测试电路 表1-1 二极管正向特性仿真测试数据 Rw 10% 20% 30% 50% 70% 90% Vd/mV 299 496 544 583 613 660 Id/mA 0.004 0.248 0.684 1.529 2.860 7.286 rd=Vd/Id（欧姆） 74750 2000 795 381 214 90.58 半导体二极管反向特性参数测试电路如图1-2所示。 图1-2 二极管反向特性测试电路 表1-2是反向测试的数据，从仿真数据可以看出：二极管反向电阻较大，而正向电阻小，故具有单向特性。反向电压超过一定数值（VBR），进入“反向击穿区”，反向电压的微小增大会导致反向电流急剧增加。 表1-2 二极管反向特性仿真测试数据 Rw 10% 30% 50% 80% 90% 100% Vd/mV 10000 30000 49993 79982 80180 80327 Id/mA 0 0.004 0.007 0.043 35 197 rd=Vd/Id（欧姆） ∞ 7.5E6 7.1E6 1.8E6 2290.9 407.8